内容提供者
非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法.pdf
2023-06-06
10金币
15页
灵波****ng
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共15页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法.pdf
本发明公开了一种非极性a面GaN基紫外光电探测器及其制备方法,紫外光电探测器包括紫外光电探测器外延片和沉积在紫外光电探测器外延片上的Si<base:Sub>3</base:Sub>N<base:Sub>4</base:Sub>钝化层,以及非对称MSM结构的肖特基叉指电极;紫外光电探测器外延片包括在r面蓝宝石衬底上依次生长的非极性a面AlN缓冲层、组分渐变的非极性a面Al<base:Sub>x</base:Sub>Ga<base:Sub>1?x</base:Sub>N缓冲层和非极性a面GaN外延层,x=0.
2023-06-06
10
一种GaN基超晶格紫外雪崩探测器及其制备方法.pdf
本发明提供一种GaN基超晶格紫外雪崩探测器及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明的GaN基超晶格紫外雪崩探测器，从下至上依次包括衬底，GaN缓冲层，n‑GaN层，超晶格结构层，i‑GaN层，p‑GaN层，以及位于台面上的p电极和位于刻蚀区n‑GaN层上方的n电极；载流子于超晶格内发生雪崩倍增，通过超晶格结构的带阶实现载流子的能量提升及碰撞离化，外偏压仅满足载流子可跨越带阶的需求即可，可避免由于高偏压下器件内部高场强导致的器件击穿和缺陷漏电等问题；同时可以利用通过更改超晶格的周期数来控制其雪崩倍增的次数。
2023-06-03
10
374KB
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展.pptx
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展目录添加章节标题GaN基紫外光电探测器概述GaN基材料特性GaN基紫外光电探测器工作原理GaN基紫外光电探测器应用领域GaN基紫外光电探测器的材料制备技术生长设备与条件控制GaN材料生长技术掺杂与修饰技术材料质量评估与优化GaN基紫外光电探测器的器件结构设计结构设计要素器件结构优化方案新型器件结构设计器件性能评估与优化GaN基紫外光电探测器的性能提升途径材料纯度与晶体质量提升表面处理与界面优化光电器件工艺优化性能提升的实验验证与结果分析GaN基紫外光电探测
2024-10-06
20
2.3MB
GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展.pptx
汇报人：CONTENTS添加章节标题GaN基紫外光电探测器概述GaN基材料特性GaN基紫外光电探测器应用领域GaN基紫外光电探测器研究现状GaN基紫外光电探测器的材料制备技术GaN基材料的生长技术GaN基材料的掺杂技术GaN基材料的表面处理技术GaN基材料的结构优化技术GaN基紫外光电探测器的器件优化技术器件结构设计优化器件性能参数优化器件稳定性优化器件可靠性优化GaN基紫外光电探测器的性能测试与表征光电响应性能测试噪声性能测试温度稳定性测试环境稳定性测试GaN基紫外光电探测器的应用前景与挑战GaN基紫外
2024-10-09
20
5.1MB
垂直结构GaN紫外光探测器及其制备方法.pdf
本发明公开了一种垂直结构GaN紫外光探测器的制备方法，包括：在绝缘衬底上形成底电极；将GaN薄膜转移至底电极上，在GaN薄膜上形成顶电极，底电极和顶电极与GaN薄膜形成的区域在垂直方向上有重叠，以使底电极、GaN薄膜和顶电极构成垂直结构GaN紫外光探测器。本发明提供的垂直结构GaN紫外光探测器具有暗电流低、响应速度快、开关比高等特点。
2023-06-10
10
472KB