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本申请提供了一种芯片以及电子设备,以释放前道介质层更多的内部空间。芯片包括第一金属层、第二金属层、前道介质层以及填充介质层;第一金属层与第二金属层之间设有填充介质层,第一金属层与第二金属层设于前道介质层上,第一金属层以及第二金属层之间用于设置MIM电容,第一金属层的第一侧面用于与MIM电容的第一金属极层电连接,第二金属层的第二侧面用于与MIM电容的第二金属极层电连接;前道介质层设有第一前道金属层以及第二前道金属层,第一金属层与第一前道金属层电连接,第二金属层与第二前道金属层电连接,第一金属层以及第一前道金属层用于将第一金属极层引入前道介质层,第二金属层以及第二前道金属层用于将第二金属极层引入前道介质层。