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本发明公开了一种高质量钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳电池的制备方法,属于光电器件制备技术领域。该方法包括在清洗后的基片上旋涂SnO2旋涂液;将PbI2粉末溶解于DMF和DMSO的混合溶液配置成PbI2溶液,混合溶液由DMF和DMSO按照1?19:1混合获得;搅拌至溶解;将PbI2溶液过滤后旋涂到SnO2电子传输层上,将基片放置于70℃下加热0?10min,得PbI2层;迅速将纯水置于PbI2上,静置,将水旋转去除;将FA/MA二元溶液旋涂到PbI2层上得钙钛矿层;将空穴前驱体溶液旋涂在钙钛矿层上,氧化;将具有空穴传输层的样品再进行真空蒸镀银电极,获得钙钛矿太阳电池。本发明的制备方法可取得高于20%的器件效率,适合于低成本、大规模钙钛矿太阳电池器件的制备,是一种具有应用前景的钙钛矿薄膜后期处理工艺。