辐射源和辐射检查系统.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115884485A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202211742642.X(22)申请日2022.12.30(71)申请人同方威视技术股份有限公司地址100084北京市海淀区双清路同方大厦A座2层申请人清华大学(72)发明人邹伟朱国平张一鸣阮明邓艳丽刘耀红印炜苗齐田(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021专利代理师孙纪泉(51)Int.Cl.H05G1/02(2006.01)G01V5/00(2006.01)H05G1/52(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图6页(54)发明名称辐射源和辐射检查系统(57)摘要提供一种辐射源，所述辐射源包括反射式加速器，所述反射式加速器包括靶，所述反射式加速器被构造为：响应于电子束轰击所述靶，发出X射线束，在所述反射式加速器中，所述电子束沿第一方向入射到所述靶上，所述X射线束沿第二方向自所述靶发出，所述第一方向和所述第二方向均位于所述靶的同一侧，所述第一方向和所述第二方向之间存在第一设定夹角，所述第一设定夹角在20°～160°之间。还提供一种基于上述辐射源的辐射检查系统。CN115884485ACN115884485A权利要求书1/2页1.一种辐射源，其特征在于，所述辐射源包括反射式加速器，所述反射式加速器包括靶，所述反射式加速器被构造为：响应于电子束轰击所述靶，发出X射线束，在所述反射式加速器中，所述电子束沿第一方向入射到所述靶上，所述X射线束沿第二方向自所述靶发出，所述第一方向和所述第二方向均位于所述靶的同一侧，所述第一方向和所述第二方向之间存在第一设定夹角，所述第一设定夹角在20°～160°之间。2.根据权利要求1所述的辐射源，其中，所述反射式加速器还包括：电子枪，所述电子枪用于发出具有第一设定电子能量的电子束；以及加速装置，所述加速装置用于加速所述具有第一设定电子能量的电子束，其中，所述电子枪发出的电子束经所述加速装置加速后沿第一方向入射到所述靶上，所述第一方向与靶平面的法线方向之间存在第二设定夹角，所述第二设定夹角在10°～80°之间。3.根据权利要求2所述的辐射源，其中，所述第二方向与靶平面的法线方向之间存在第三设定夹角，所述第三设定夹角与所述第二设定夹角之和为所述第一设定夹角。4.根据权利要求1‑3任一项所述的辐射源，其中，所述反射式加速器发出的所述X射线束具有连续能谱，所述X射线束包括具有第一能量的第一X射线束和具有第二能量的第二X射线束，所述第一能量的能量范围为0～200keV，所述第二能量的能量范围为大于200keV，在所述反射式加速器发出的所述X射线束中，所述第一X射线束所占的比例大于所述第二X射线束所占的比例。5.根据权利要求2所述的辐射源，其中，所述加速装置包括加速管和与所述加速管连接的微波装置，所述加速管用于在微波装置发出的微波的作用下将具有第一设定电子能量的电子束加速到具有第二设定电子能量的电子束。6.根据权利要求5所述的辐射源，其中，所述第一设定电子能量的能量范围为10keV至100keV；和/或，所述第二设定电子能量的能量范围为500keV至9MeV。7.根据权利要求1‑3和5‑6中任一项所述的辐射源，其中，所述靶的材料包括原子序数位于47与92之间的高原子序数材料，所述靶沿靶平面的法线方向的厚度为0.3～100毫米。8.根据权利要求7所述的辐射源，其中，所述靶的材料选自钨、钽、铼、金或银中的至少一种。9.根据权利要求1‑3和5‑6中任一项所述的辐射源，其中，所述靶的材料包括原子序数位于10与46之间的中等原子序数材料，所述靶沿靶平面的法线方向的厚度为1～200毫米。10.根据权利要求9所述的辐射源，其中，所述靶的材料选自铜、不锈钢或铝中的至少一种。11.根据权利要求1‑3和5‑6中任一项所述的辐射源，其中，所述反射式加速器还包括靶腔和真空密封窗，所述真空密封窗设置于所述X射线束的射出路径上，用于保持靶腔真空环境并引出X射线束。12.根据权利要求11所述的辐射源，其中，所述真空密封窗的制备材料选自铍、石墨或铝中的至少一种，所述真空密封窗的厚度为0.5～6毫米；或者，所述真空密封窗的制备材料选自不锈钢或铜中的至少一种，所述真空密封窗的厚度为0.3～2毫米。2CN115884485A权利要求书2/2页13.根据权利要求11所述的辐射源，还包括：屏蔽结构，所述屏蔽结构包围所述反射式加速器；所述屏蔽结构在对应所述真空密封窗的位置处开设有出射口，所述出射口被构造成用于引出所述X射线束作用于待检查对象，其中，所述X射线束的束流面为扇形或者圆锥形。14.根据权利要求1‑3和5‑6中任一项所述的辐射源，其中，所述靶为材料选自钨、钽、铼、金、银、不锈钢或铝中至