集成电路校准架构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109417427A(43)申请公布日2019.03.01(21)申请号201780037406.9(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司1(22)申请日2017.06.271227代理人唐京桥董娟(30)优先权数据15/195,3792016.06.28US(51)Int.Cl.15/628,5242017.06.20USH04B17/14(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2018.12.14(86)PCT国际申请的申请数据PCT/US2017/0395922017.06.27(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/005555EN2018.01.04(71)申请人派赛公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人维卡斯·夏尔马权利要求书8页说明书14页附图9页(54)发明名称集成电路校准架构(57)摘要一种校准架构，其能够在相对简单的测试环境中准确校准在收发器RF系统中使用的射频(RF)集成电路(IC)芯片。本发明的实施方式包括一个或更多个芯片上可切换内部校准路径，其能够将芯片上电路的一部分直接耦接至RF测试系统，同时隔离芯片上的其他电路系统。可以在初始工厂校准之后执行RFIC的周期性自校准，使得可以在这样的IC嵌入到最终系统内时进行对期望的性能参数的调节，以及/或者考虑由于老化或其他因素导致的部件劣化。CN109417427ACN109417427A权利要求书1/8页1.一种射频(RF)集成电路，包括：(a)初级RF发送路径；(b)初级RF接收路径；(c)至少一个RF收发器前端电路，每个RF收发器前端电路选择性地可连接至所述初级RF发送路径和所述初级RF接收路径；以及(d)至少一个可切换内部校准路径，其耦接至所述至少一个RF收发器前端电路，并且被配置成在校准模式下将RF测试信号从所述初级RF发送路径通过经耦接的至少一个RF收发器前端电路的至少一部分传送到所述初级RF接收路径；其中，至少一个RF收发器前端电路包括相位衰减核或输入/输出电路中的至少一个。2.根据权利要求1所述的RF集成电路，其中，每个RF收发器前端电路包括相位衰减核。3.根据权利要求1所述的RF集成电路，其中，每个RF收发器前端电路包括输入/输出电路。4.根据权利要求1所述的RF集成电路，其中，至少一个RF收发器前端电路包括输入/输出电路，所述输入/输出电路包括功率放大器和/或低噪声放大器中的至少一个。5.根据权利要求1所述的RF集成电路，还包括间接中频(IF)路径旁路开关，其耦接所述初级RF发送路径的IF部分和所述初级RF接收路径的IF部分，用于选择性地将所述RF测试信号从所述初级RF发送路径耦接至所述初级RF接收路径。6.根据权利要求5所述的RF集成电路，其中，基于所述校准模式的所述结果对所述RF集成电路进行期望性能参数的调节。7.根据权利要求5所述的RF集成电路，其中，通过所述间接IF路径旁路开关执行第一校准模式通过，并且通过至少一个RF收发器前端电路执行第二校准模式通过，并且从所述第二校准模式通过的所述结果中减去所述第一校准模式通过的所述结果。8.根据权利要求1所述的RF集成电路，还包括直接中频(IF)路径旁路开关，其耦接在所述初级RF发送路径的IF部分与所述初级RF接收路径的IF部分之间，用于选择性地将所述RF测试信号从所述初级RF发送路径耦接至所述初级RF接收路径。9.根据权利要求8所述的RF集成电路，其中，基于所述校准模式的所述结果对所述RF集成电路进行期望性能参数的调节。10.根据权利要求8所述的RF集成电路，其中，通过所述直接IF路径旁路开关执行第一校准模式通过，并且通过至少一个RF收发器前端电路执行第二校准模式通过，并且从所述第二校准模式通过的所述结果中减去所述第一校准模式通过的所述结果。11.根据权利要求1所述的RF集成电路，还包括选择性地可连接至所述初级RF发送路径或所述初级RF接收路径中的至少一个的一个或更多个偏置阻抗，以抵消由于在所述校准模式期间一个或更多个可切换内部校准路径的不对称负载所引起的阻抗失配。12.根据权利要求1所述的RF集成电路，其中，至少一个相位衰减核包括信号幅度控制电路，所述信号幅度控制电路包括用于提供施加的信号的幅度减小的衰减器电路。13.根据权利要求1所述的RF集成电路，其中，至少一个相位衰减核包括信号幅度控制电路，所述信号幅度控制电路包括放大施加的信号以有效地提供负衰减的放大器。14.根据权利要求1所述的RF集成电路，其中，至少一个可切换内部校准路径是在至少两个RF收发器前端电路与所述初级RF接收路径之间的可切换交叉电路校准路径，并且被配2CN109417427A权利要求书2/8页置成在所述校准模式下将