用于载波聚合的无线放大器电路.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114172472A(43)申请公布日2022.03.11(21)申请号202111051817.8(22)申请日2021.09.08(30)优先权数据17/019,0372020.09.11US(71)申请人苹果公司地址美国加利福尼亚州(72)发明人S·M·H·穆罕默德内扎德A·伊斯梅尔姚僖(74)专利代理机构北京市汉坤律师事务所11602代理人魏小薇吴丽丽(51)Int.Cl.H03F3/193(2006.01)H04B1/16(2006.01)H04L5/00(2006.01)权利要求书3页说明书21页附图15页(54)发明名称用于载波聚合的无线放大器电路(57)摘要本公开涉及用于载波聚合的无线放大器电路。公开了一种电子设备，该电子设备可包括无线电路，该无线电路具有基带处理器、收发器电路、前端模块和天线。该前端模块可包括用于对接收到的射频信号进行放大的放大器电路，诸如低噪声放大器。该低噪声放大器能够在非载波聚合(NCA)模式和载波聚合(CA)模式下操作。该低噪声放大器可包括第一输入级、第二输入级、互补退化变压器和输入阻抗补偿电路。在该NCA模式期间，该第一输入级被接通而该第二输入级被断开，该退化变压器被控制以提供最大电感，并且该补偿电路被接通以提供输入匹配。在该CA模式期间，该第一输入级和该第二输入级被接通，该退化变压器被调解以提供较小电感，并且该补偿电路被断开。CN114172472ACN114172472A权利要求书1/3页1.一种能够在载波聚合模式和非载波聚合模式下操作的放大器电路，所述放大器电路包括：输入端口，所述输入端口被配置为从天线接收射频信号；第一放大器，所述第一放大器具有耦合到所述输入端口的第一输入；第二放大器，所述第二放大器具有耦合到所述输入端口的第二输入；退化变压器电路，所述退化变压器电路耦合到所述第一放大器和所述第二放大器，所述退化变压器电路具有第一组开关，所述第一组开关被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下激活和去激活所述退化变压器电路的至少一部分；和输入阻抗补偿电路，所述输入阻抗补偿电路耦合到所述输入端口，所述输入阻抗补偿电路具有第二组开关，所述第二组开关被配置为在所述非载波聚合模式和所述载波聚合模式下激活和去激活所述阻抗补偿电路的至少一部分。2.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述输入阻抗补偿电路包括：第一电容器，所述第一电容器耦合到所述第二组开关中的串联在所述输入端口与所述退化变压器电路的第一部分之间的一个开关；和第二电容器，所述第二电容器耦合到所述第二组开关中的串联在所述输入端口与所述退化变压器电路的第二部分之间的另一个开关。3.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述输入阻抗补偿电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管耦合到所述第二组开关中的串联在所述输入端口与所述退化变压器电路的第一部分之间的一个开关；和第二晶体管，所述第二晶体管耦合到所述第二组开关中的串联在所述输入端口与所述退化变压器电路的第二部分之间的另一个开关。4.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述输入阻抗补偿电路包括：第一金属‑氧化物‑半导体电容器，所述第一金属‑氧化物‑半导体电容器耦合到所述第二组开关中的串联在所述输入端口与所述退化变压器电路的第一部分之间的一个开关；和第二金属‑氧化物‑半导体电容器，所述第二金属‑氧化物‑半导体电容器耦合到所述第二组开关中的串联在所述输入端口与所述退化变压器电路的第二部分之间的另一个开关。5.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述退化变压器电路包括：具有第一中心抽头的第一初级绕组和第二初级绕组，所述第一组开关中的一个开关串联耦合在所述第一初级绕组和所述第二初级绕组与接地线之间；和第三开关，所述第三开关耦合在所述第一中心抽头与所述接地线之间，所述第三开关在所述非载波聚合模式下被去激活并且在所述载波聚合模式下被激活。6.根据权利要求5所述的放大器电路，其中所述退化变压器电路包括：具有第二中心抽头的第一次级绕组和第二次级绕组，所述第一组开关中的另一个开关串联耦合在所述第一次级绕组和所述第二次级绕组与电源线之间；和第四开关，所述第四开关耦合在所述第二中心抽头与所述电源线之间，所述第四开关在所述非载波聚合模式下被去激活并且在所述载波聚合模式下被激活。7.根据权利要求1所述的放大器电路，其中所述第一放大器包括：至少两个并联耦合的n型晶体管；以及至少两个并联耦合的p型晶体管。2CN114172472A权利要求书2/3页8.根据权利要求1所述的放大器电路，其中：所述第一放大器具有第一源极端子和第二源极端子；所述第二放大器具有第三源极端子和第四源极端子；并且所述退化变压器电路具有耦合到所述第一源极端子和所述第三源极