双向可变增益放大.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114303316A(43)申请公布日2022.04.08(21)申请号202080060540.2(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所(22)申请日2020.08.2811256代理人王茂华(30)优先权数据16/557,9742019.08.30US(51)Int.Cl.H03F3/62(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H03G3/30(2006.01)2022.02.25H03K5/02(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H04B1/48(2006.01)PCT/US2020/0483362020.08.28H01Q1/22(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据H01Q1/50(2006.01)WO2021/041766EN2021.03.04H01Q21/00(2006.01)H03F1/02(2006.01)(71)申请人高通股份有限公司H03F3/45(2006.01)地址美国加利福尼亚州(72)发明人C·D·帕特尔俞欣旻梁赖简权利要求书10页说明书21页附图16页(54)发明名称双向可变增益放大(57)摘要公开了一种用于双向可变增益放大的装置。在示例方面，一种装置包括天线阵列的天线元件和无线收发器。无线收发器包括耦合到天线元件的发射路径、耦合到天线元件的接收路径、以及设置在发射路径和接收路径两者中的移相器。移相器被配置为以有源模式操作，并且包括第一双向可变增益放大器和第二双向可变增益放大器。CN114303316ACN114303316A权利要求书1/10页1.一种装置，包括：天线阵列的天线元件；以及无线收发器，包括：发射路径，耦合到所述天线元件；接收路径，耦合到所述天线元件；以及移相器，设置在所述发射路径和所述接收路径两者中，所述移相器被配置为以有源模式操作，所述移相器包括：第一双向可变增益放大器；以及第二双向可变增益放大器。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述移相器基于处于所述有源模式而被配置为选择性地：在发射模式中，使用所述第一双向可变增益放大器和所述第二双向可变增益放大器，放大传播通过所述发射路径的第一信号；以及在接收模式中，使用所述第一双向可变增益放大器和所述第二双向可变增益放大器，放大传播通过所述接收路径的第二信号。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述移相器被配置为通过大于1的因子放大所述第一信号，并且放大所述第二信号。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述移相器包括矢量调制器，所述矢量调制器包括所述第一双向可变增益放大器和所述第二双向可变增益放大器。5.根据权利要求1所述的装置，其中所述移相器包括正交耦合电路，所述正交耦合电路包括：第一正交端口，耦合到所述第一双向可变增益放大器；以及第二正交端口，耦合到所述第二双向可变增益放大器。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一正交端口和所述第二正交端口与大约90度的相位增量相关联。7.根据权利要求5所述的装置，其中：所述第一双向可变增益放大器和所述第一正交端口与所述发射路径的第一同相通道和所述接收路径的第二同相通道相关联；以及所述第二双向可变增益放大器和所述第二正交端口与所述发射路径的正交通道和所述接收路径的第三同相通道相关联。8.根据权利要求1所述的装置，其中：所述第一双向可变增益放大器包括第一晶体管集，所述第一晶体管集被配置为选择性地：基于有源发射配置而操作为第一输入晶体管集；以及基于有源接收配置而操作为第一输出晶体管集；以及所述第二双向可变增益放大器包括第二晶体管集，所述第二晶体管集被配置为选择性地：基于所述有源发射配置而操作为第二输入晶体管集；以及基于所述有源接收配置而操作为第二输出晶体管集。2CN114303316A权利要求书2/10页9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一双向可变增益放大器和所述第二双向可变增益放大器各自包括以下各项中的不同项：第一端口，设置在所述发射路径和所述接收路径两者中；第二端口，设置在所述发射路径中；第三端口，设置在所述接收路径中；以及T‑网络，耦合到所述第一端口、所述第二端口和所述第三端口，所述T‑网络包括：公共节点；以及第一分支电路，耦合在所述第一端口和所述公共节点之间，所述第一分支电路包括第一晶体管集，所述第一晶体管集包括至少一个第一共栅放大器；第二分支电路，耦合在所述第二端口和所述公共节点之间，所述第二分支电路包括第二晶体管集，所述第二晶体管集包括至少一个第二共栅放大器；以及第三分支电路，耦合在所述第三端口和所述公共节点之间，所述第三分支电路包括第三晶体管集，所述第三晶体管集包括至少一个第三共栅放大器。10.根据权利要求9所述的装置，其中：所述第一分支电路包括第一开关，所述第一