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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107864535A(43)申请公布日2018.03.30(21)申请号201711323975.8(22)申请日2017.12.13(71)申请人刘向宁地址518052广东省深圳市南山区深南大道10128号南山数字文化产业基地西塔2203(72)发明人刘向宁(51)Int.Cl.H05B33/08(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称发光二极管调流驱动电路(57)摘要本发明公开了一种发光二极管调流驱动电路,包括LED、第二限流电阻R2、第一限流电阻R1以及信号开关管Q1;LED的正极与输入电源连接,LED负极通过第二限流电阻R2与信号开关管Q1的输入端电连接;信号开关管Q1的输出端接地;信号开关管Q1的信号输入端接数据信号第一限流电阻R1的一端与LED负极电连接,第一限流电阻R1的另一端接地。该LED调流驱动电路中,利用LED不完全关断,使LED光强度达到接收不到即可,当信号开关管Q1导通时增大流过LED的电流,LED处于高亮;信号开关管Q1关断时减小流过LED的电流,LED处于微亮;同时,用该电路可以提高普通LED的调制带宽,并可用于百兆光纤通信,大幅下降光通讯模组使用成本。CN107864535ACN107864535A权利要求书1/1页1.一种发光二极管调流驱动电路,其特征在于,包括LED、第二限流电阻R2、第一限流电阻R1以及信号开关管Q1;LED的正极与输入电源连接,LED负极通过第二限流电阻R2与信号开关管Q1的输入端电连接;信号开关管Q1的输出端接地;信号开关管Q1的信号输入端接数据信号;第一限流电阻R1的一端与LED负极电连接,第一限流电阻R1的另一端接地。2.根据权利要求1所述的发光二极管调流驱动电路,其特征在于,还包括并联连接在输入电源与地之间的低频去耦电容C1。3.根据权利要求1所述的发光二极管调流驱动电路,其特征在于,还包括并联连接在输入电源与地之间的高频去耦电容C2。4.根据权利要求1至3任一所述的发光二极管调流驱动电路,其特征在于,所述信号开关管Q1为MOS管或三极管。2CN107864535A说明书1/2页发光二极管调流驱动电路技术领域[0001]本发明涉及光电转换领域,尤其涉及一种发光二极管调流驱动电路。背景技术[0002]现阶段,在短距离光纤通信中,光源都采用共振腔发光二极管[0003](RCLED:ResonantCavityLightEmittingDiode),是一种新型发光二极管(LED)结构,同时具备了传统LED和垂直腔面激光器(VCSEL)两者的优点;鉴于RCLED的这些特点,也就造成了其市场价格高,且大部分为国外生产,RCLED传输速度低、成本高等因素,都限制了它的市场广泛使用,且也阻碍了光纤通信的发展。发明内容[0004]基于上述问题,本发明所要解决的问题在于提供一种利用普通LED来实现RCLED所不利于市场广泛使用的发光二极管调流驱动电路。[0005]本发明的技术方案如下:[0006]一种发光二极管调流驱动电路,包括LED、第二限流电阻R2、第一限流电阻R1以及信号开关管Q1;LED的正极与输入电源连接,LED负极通过第二限流电阻R2与信号开关管Q1的输入端电连接;信号开关管Q1的输出端接地;信号开关管Q1的信号输入端接数据信号;第一限流电阻R1的一端与LED负极电连接,第一限流电阻R1的另一端接地。[0007]所述发光二极管调流驱动电路,其中,还包括并联连接在输入电源与地之间的低频去耦电容C1。[0008]所述发光二极管调流驱动电路,其中,还包括并联连接在输入电源与地之间的高频去耦电容C2。[0009]所述发光二极管调流驱动电路,其中,所述信号开关管Q1为MOS管或三极管。[0010]本发明的发光二极管(LED)调流驱动电路,信号开关管Q1导通时增大流过LED的电流,LED处于高亮;信号开关管Q1关断时减小流过LED的电流,LED处于微亮相应的其光强变化小,其上升沿、下降沿时间就可降到2ns,调制带宽可达到100M。而现在的LED规格,其光强上升沿、下降沿时间会超过15ns,对应带宽不会超过20MHz。因此,利用LED流过电流小时,使LED光强度达到接收不到即可,当电流达到最大电流时,LED可以迅速的将能量转为最强的光强度。同时,用该电路可以提高普通LED的调制带宽,并可用于百兆光纤通信,大幅下降现在用光通讯模组的成本,有利于市场广泛推广使用。[0011]利用普通LED价格低,生产厂家多,但其调制带宽低限制了其广泛使用,本发明利用驱动电路解决了其调制带宽低,传输速度低的问题。附图说明[0012]图1为本发明的发光二极管(LED)驱动电路结构示意;[0013]图2为现有