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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910545A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211281492.7(22)申请日2022.10.19(71)申请人超聚变数字技术有限公司地址450046河南省郑州市郑东新区龙子湖智慧岛正商博雅广场1号楼9层(72)发明人张群友方芳(74)专利代理机构深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285专利代理师万欣慰(51)Int.Cl.H01F27/24(2006.01)H01F27/30(2006.01)H01F27/34(2006.01)H02M1/00(2007.01)权利要求书1页说明书9页附图9页(54)发明名称一种电源、磁集成变压器及磁芯结构(57)摘要本申请实施例公开了电源、磁集成变压器及磁芯结构。该磁芯结构包括主磁芯和副磁芯,主磁芯由第一磁材制成,副磁芯由第二磁材制成,第二磁材的磁导率低于第一磁材;主磁芯的两个绕线柱沿第一方向间隔设置在顶部结构和底部结构之间;副磁芯包括两个接合面,两个接合面中的一者与顶部结构连接、另一者与底部结构连接;主磁芯用于获得励磁电感,副磁芯用于获得漏感。通过副磁芯的磁阻控制电感量,基于低磁导率材料的磁通特性,副磁芯具备的通磁能力可有效减少产生发散漏磁的可能性,有效降低干扰和不必要的涡流损耗及其他空间干扰。应用本方案,在实现较小磁器件体积的基础上,获得优良的电磁性能,可广泛应用于高效、高功率密度场景下。CN115910545ACN115910545A权利要求书1/1页1.一种磁芯结构,其特征在于,包括主磁芯和副磁芯,所述主磁芯由第一磁材制成,所述副磁芯由第二磁材制成;所述主磁芯包括顶部结构、底部结构和两个绕线柱,所述顶部结构和所述底部结构相对设置,所述两个绕线柱沿第一方向间隔设置在所述顶部结构和所述底部结构之间;所述副磁芯包括两个接合面,所述两个接合面中的一者与所述顶部结构连接,所述两个接合面中的另一者与所述底部结构连接;其中,所述第一磁材具有第一磁导率,所述第二磁材具有第二磁导率,所述第二磁导率低于所述第一磁导率,所述主磁芯用于获得励磁电感,所述副磁芯用于获得漏感。2.根据权利要求1所述的磁芯结构,其特征在于,所述副磁芯为两个,两个所述副磁芯分别设置在所述主磁芯两侧;每个所述副磁芯的两个接合面分别与所述顶部结构和所述底部结构连接。3.根据权利要求1或2所述的磁芯结构,其特征在于,两个所述副磁芯沿所述第一方向设置在所述主磁芯的两侧。4.根据权利要求1或2所述的磁芯结构,其特征在于,两个所述副磁芯沿第二方向设置在所述主磁芯的两侧,其中,所述第二方向与所述第一方向不同。5.根据权利要求2所述的磁芯结构,其特征在于,所述副磁芯为一个,所述副磁芯设置在所述主磁芯的一侧。6.根据权利要求3‑5任一项所述的磁芯结构,其特征在于,所述副磁芯包括两个“L”型的副磁芯段,两个所述副磁芯段的一端沿第三方向连接;两个所述副磁芯段的另一端形成所述接合面,且分别与所述顶部结构和所述底部结构连接,其中,所述第三方向与所述第一方向和第二方向不同。7.根据权利要求3‑5中任一项所述的磁芯结构,其特征在于,所述副磁芯为“I”型,所述“I”型的副磁芯的两端形成所述接合面,分别与所述顶部结构和所述底部结构连接。8.一种磁集成变压器,其特征在于,包括磁芯结构、初级线圈和次级线圈;其中,所述磁芯结构采用如权利要求1至7中任一项所述的磁芯结构;所述初级线圈和所述次级线圈绕制于所述磁芯结构的两个绕线柱上。9.根据权利要求8所述的磁集成变压器,其特征在于,所述初级线圈包括依次串接的第一初级线圈和第二初级线圈;所述次级线圈包括依次串接的第一次级线圈和第二次级线圈;所述第一初级线圈和所述第一次级线圈绕制于所述两个绕线柱中的第一绕线柱上,所述第二初级线圈和所述第二次级线圈绕制于所述两个绕线柱中的第二绕线柱上;其中,Np1/Ns1≠Np2/Ns2,式中,Np1为第一初级线圈的匝数,Np2为第二初级线圈的匝数,Ns1为第一次级线圈的匝数,Ns2为第二次级线圈的匝数。10.一种电源,其特征在于,包括如权利要求8或9所述的磁集成变压器。2CN115910545A说明书1/9页一种电源、磁集成变压器及磁芯结构技术领域[0001]本申请实施例涉及电源变换器技术领域,尤其涉及一种电源、磁集成变压器及磁芯结构。背景技术[0002]作为功率转换电路的关键部件,电源变换器的磁器件损耗对电源效率有着直接的影响,且组装空间占用较大。基于应用场景的需求提升,对电源变换器进一步提出了高效、高功率密度及小型化需求,功率磁器件的技术实现随之演进。[0003]目前,一种实现方向是借助空间漏磁实现部分电感功能,可在一定程度上实现集成小型化;另一种是通过磁集成共用磁路,通过解耦或耦