反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115910990A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202310153953.0(22)申请日2023.02.23(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人黄金荣(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司44224专利代理师史治法(51)Int.Cl.H01L23/525(2006.01)H10B12/00(2023.01)权利要求书3页说明书13页附图11页(54)发明名称反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法(57)摘要本公开提供一种反熔丝结构及反熔丝结构的制备方法，反熔丝结构包括位线结构及与位线结构电连接的选通结构；选通结构包括依次叠置的可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构，可变电阻结构与位线结构相邻，可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构的叠置方向与位线结构的厚度方向相交。本实施例的反熔丝结构直接在位线结构中间形成选通结构，且选通结构的叠置方向与厚度方向相交,相较于三者在厚度方向依次叠置，能够在确保反熔丝结构性能不减小的情况下，减小反熔丝结构的厚度并满足多种不同应用场景的实际需求。CN115910990ACN115910990A权利要求书1/3页1.一种反熔丝结构，其特征在于，包括位线结构及与所述位线结构电连接的选通结构；所述选通结构包括依次叠置的可变电阻结构、阈值选通结构及字线结构，所述可变电阻结构与所述位线结构相邻，所述可变电阻结构、所述阈值选通结构及所述字线结构的叠置方向与所述位线结构的厚度方向相交。2.根据权利要求1所述的反熔丝结构，其特征在于，所述选通结构至少部分位于所述位线结构的内部。3.根据权利要求2所述的反熔丝结构，其特征在于，所述位线结构内形成有第一沟槽；所述第一沟槽内形成有两个共用所述位线结构的所述选通结构。4.根据权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，两个共用所述位线结构的所述选通结构以所述第一沟槽的对称轴对称，所述对称轴平行于所述位线结构的厚度方向。5.根据权利要求3所述的反熔丝结构，其特征在于，两个所述选通结构的选通时刻具有预设时间间隔。6.根据权利要求1‑5任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述阈值选通结构的顶面高于所述可变电阻结构的顶面；所述阈值选通结构的底面高于所述可变电阻结构的底面。7.根据权利要求6所述的反熔丝结构，其特征在于，所述字线结构的顶面高于所述阈值选通结构的顶面，所述字线结构的底面不低于所述阈值选通结构的底面。8.根据权利要求1‑5任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述可变电阻结构被配置为：初始态为高阻态；在所述字线结构提供的预设编程电压驱动下，从所述高阻态转变为低阻态；以及在所述字线结构提供的预设读取电压驱动下，若为高阻态则读出第一数值及若为低阻态则读出第二数值。9.根据权利要求8所述的反熔丝结构，其特征在于，所述预设编程电压的幅值范围为3.0V‑4.0V；及/或所述预设读取电压的幅值范围为0V‑2.0V。10.根据权利要求1‑5任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构形成于存储结构的预设区域内；所述预设区域选自存储结构的第一金属层的表面、第二金属层的表面、顶层金属层的表面和其组合。11.根据权利要求10所述的反熔丝结构，其特征在于，所述反熔丝结构形成于动态随机存取存储器的电容层平面。12.根据权利要求1‑5任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，包括如下特征中的至少一种：所述可变电阻结构的材料选自氧化铪、氧化锆、氧化铊与氧化铝和其组合；所述阈值选通结构的材料选自氧化钛、氧化铪、氧化钛铪与碲锡锗相变材料和其组合；所述字线结构的材料选自钨、铜、钛、铝、铊、铪、铷、氧化铟锡、导电玻璃与氧化铟镓锌和其组合；所述位线结构的材料选自钨、铜、钛、铝、铊、铪、铷、氧化铟锡、导电玻璃与氧化铟镓锌和其组合。2CN115910990A权利要求书2/3页13.根据权利要求1‑5任一项所述的反熔丝结构，其特征在于，包括如下特征中的至少一种：所述可变电阻结构的厚度范围为5Å‑10Å；所述阈值选通结构的厚度范围为1nm‑10nm；所述字线结构的厚度范围为20nm‑50nm；所述位线结构的厚度范围为20nm‑50nm。14.一种反熔丝结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底上形成位线结构；于所述位线结构上形成可变电阻结构；于所述可变电阻结构远离所述位线结构的一侧形成阈值选通结构；于所述阈值选通结构远离所述位线结构的一侧形成字线结构，所述可变电阻结构、所述阈值选通结构及所述字线结构的叠置方向与所述位线结构的厚度方向相交。15.根据权利要求14所述的反熔丝结构的制备方法，其特征在于，所述可变电阻结构、所述阈值选通结构及所述字线