显示装置以及显示装置的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115917636A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202080101372.7(51)Int.Cl.(22)申请日2020.05.25G09G3/3208(2006.01)G09G3/3225(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日G09G3/3233(2006.01)2022.11.25G09F9/30(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2020/0204972020.05.25(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/240584JA2021.12.02(71)申请人夏普株式会社地址日本国大阪府堺市堺区匠町1番地(72)发明人青木智久蜂谷笃史齐藤裕一古川博章(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334专利代理师叶乙梅权利要求书3页说明书9页附图15页(54)发明名称显示装置以及显示装置的制造方法(57)摘要一种具备像素电路(PC)的显示装置(10)，在像素电路中形成有包括结晶性硅半导体膜(SC)的第一结构的驱动晶体管(T4)和电容元件(Cp)，电容元件包括与驱动晶体管的第一栅极(15a)电连接的第一电容电极(17a)、与第一电容电极相对的第二电容电极(19a)、以及配置在第一电容电极与第二电容电极之间的介电膜(18a)，介电膜(18a)形成在与第一层间绝缘膜(16)和第二层间绝缘膜(20)不同的层。CN115917636ACN115917636A权利要求书1/3页1.一种显示装置，其包括像素电路以及发光元件，所述像素电路形成有第一结构的晶体管和第二结构的晶体管，所述第一结构的晶体管包含结晶性硅半导体膜和第一栅极，所述第二结构的晶体管包含氧化物半导体膜和第二栅极，其特征在于，具备：第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一栅极；以及第二层间绝缘膜，其覆盖所述第二栅极，在所述像素电路中，形成有作为所述第一结构的晶体管的驱动晶体管和电容元件，所述电容元件包括：第一电容电极，其与所述驱动晶体管的第一栅极电连接；第二电容电极，其与所述第一电容电极相对；以及电介质膜，其配置在所述第一电容电极以及第二电容电极之间，所述电介质膜形成在与所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜不同的层。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，包括第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜配置在所述结晶性硅半导体膜与所述第一栅极之间，所述第二栅极绝缘膜配置在所述氧化物半导体膜与所述第二栅极之间，所述电介质膜与所述第二栅极绝缘膜同层且由相同材料形成。3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，在俯视时，所述电容元件与所述驱动晶体管的沟道重叠。4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述电介质膜和第二栅极绝缘膜分别形成为岛状。5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜比所述结晶性硅半导体膜形成在更上层，所述第一结构的晶体管和所述第二结构的晶体管是顶栅型的晶体管。6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，包括：第一金属层，其包括所述第一栅极；第二金属层，其包括所述第二栅极；第三金属层，其比所述第二层间绝缘膜位于更上层；以及中间金属层，其配置于比所述第一层间绝缘膜更上层且所述氧化物半导体膜更下层，所述第一电容电极包含在所述中间金属层中。7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第二电容电极包含在所述第二金属层中。8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述驱动晶体管的所述第一栅极以及所述第一电容电极通过形成于所述第一层间绝缘膜的接触孔连接。9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜包括导体化的导体部，设置有中继电极，其与所述导体部接触，所述中继电极包含于所述中间金属层中。10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述电介质膜由氧化硅构成。2CN115917636A权利要求书2/3页11.根据权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一层间绝缘膜包括氮化硅，所述第二层间绝缘膜包含氧化硅。12.根据权利要求1～11中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一电容电极经由作为所述第二结构的晶体管的复位晶体管与电源线连接。13.根据权利要求1～12中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述第二电容电极通过作为所述第二结构的晶体管的初始化晶体管与初始化信号线连接。14.根据权利要求1～12中任一项所述的显示装置，其特征在于，所述驱动晶体管的所述晶体硅半导体膜包含配置在沟道两侧的源极区域及漏极区域。15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，所述源极区域和漏极区域中的一方经由作为所述第一结构的晶体管的写入晶体