一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115505889A(43)申请公布日2022.12.23(21)申请号202211218514.5(22)申请日2022.10.06(71)申请人鹏城半导体技术（深圳）有限公司地址518000广东省深圳市光明区玉塘街道田寮社区光侨路高科创新中心三层339(72)发明人吴向方梁玉生吴煦梁家禄蔡豫孔祥鹏(51)Int.Cl.C23C14/35(2006.01)C23C14/50(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图8页(54)发明名称一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置(57)摘要本发明公开一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置，涉及磁控溅射技术领域，该超高真空磁控溅射靶可以包括支杆、靶头、底座、磁环和磁柱。其中，靶头与支杆的一端相连，靶头还与电源阴极相连，靶头内部形成有安装腔。底座设置于安装腔内，且与安装腔底壁相连。磁环设置于安装腔内，且位于底座上。磁柱设置于安装腔内，且位于底座上，还位于磁环内。靶材设置于靶头远离支杆一侧的外表面。其中，磁环上表面、磁柱上表面与安装腔内壁之间均具有间隙。安装腔内通入冷却液。本发明用于镀膜设备。CN115505889ACN115505889A权利要求书1/2页1.一种超高真空磁控溅射靶，其特征在于，包括：支杆；靶头，与所述支杆的一端相连，所述靶头还与电源阴极相连，所述靶头内部形成有安装腔；底座，设置于所述安装腔内，且与所述安装腔底壁相连；磁环，设置于所述安装腔内，且位于所述底座上；磁柱，设置于所述安装腔内，且位于所述底座上，还位于所述磁环内，靶材设置于所述靶头远离所述支杆一侧的外表面；其中，所述磁环上表面、所述磁柱上表面与所述安装腔内壁之间均具有间隙；所述安装腔内通入冷却液。2.根据权利要求1所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述超高真空磁控溅射靶还包括绝缘件，所述绝缘件的一端与所述靶头相连，另一端与所述支杆相连。3.根据权利要求2所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述绝缘件包括：第一套环，一端与所述靶头远离所述靶材的一侧相连，作为绝缘件与所述靶头相连的一端；陶瓷环，位于所述第一套环远离所述靶头一侧，所述陶瓷环的一端与所述第一套环另一端相连；第二套环，一端与所述陶瓷环的另一端相连；所述第二套环的另一端与所述支杆相连，作为所述绝缘件与所述支杆相连的另一端。4.根据权利要求3所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述第一套环和所述第二套环均为可伐材料，所述陶瓷环为陶瓷材料。5.根据权利要求1~4任一项所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述超高真空磁控溅射靶还包括：挡板，设置于所述靶材远离所述靶头的一侧，用于露出或者遮盖所述靶材；旋转气缸，具有输出轴；磁耦合驱动器，与所述输出轴相连，所述磁耦合驱动器驱动其内部的真空腔体内的传动轴转动，所述挡板与所述传动轴相连。6.根据权利要求5所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述超高真空磁控溅射靶还包括支架，所述支架与所述支杆滑动相连。7.根据权利要求6所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述超高真空磁控溅射靶还包括：屏蔽罩，具有容纳腔，和与所述容纳腔一端相连通的开口；所述靶头位于所述容纳腔内，且所述靶材露出于所述开口，所述挡板档设于所述开口处；所述第二套环外表面还与所述屏蔽罩相连；法兰，套设于所述支杆外，与所述支架相连；气管，盘旋若干扎且绕设于所述支杆外，且位于所述法兰靠近所述靶头一侧，所述气管的一端通入氩气，另一端与所述容纳腔相连通。8.根据权利要求1~4任一项所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述超高真空磁控溅射靶还包括：2CN115505889A权利要求书2/2页进水管，一端与所述磁环内的空间相连通；出水管，一端与所述底座和安装腔上表面的空间相连通；水箱，与所述进水管的另一端和所述出水管另一端相连通，所述水箱用于提供所述冷却液。9.根据权利要求1所述的超高真空磁控溅射靶，其特征在于，所述磁环和磁柱均为磁钢，且所述磁环和所述磁柱的同侧为异性磁极。10.一种磁控溅射装置，其特征在于，包括权利要求1~9任一项所述的超高真空磁控溅射靶、真空室和位于所述真空室内的基台；其中，所述基台上用于承载基片，所述超高真空磁控溅射靶与所述基片相对设置。3CN115505889A说明书1/6页一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置技术领域[0001]本发明涉及磁控溅射技术领域，尤其涉及一种超高真空磁控溅射靶以及磁控溅射装置。背景技术[0002]磁控溅射是物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)的一种。用磁控溅射的方法制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等，适用于基片镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜。目前磁控溅射法制造薄膜已