一种基于IGCT的H桥功率模块.pdf
是立****92
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一种基于IGCT的H桥功率模块.pdf
本发明公开了一种基于IGCT的H桥功率模块,包括IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串,支撑架,用于支撑IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串。本发明公开的H桥功率模块,采用三串式的压装方式,将两个两电平电路集成于一体,大大提高了H桥功率模块的集成度和功率密度,同时保证了模块结构简洁,易于电气连接和维护操作。
一种基于IGCT的两电平功率模块.pdf
本发明公开了基于IGCT的两电平功率模块,包括IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串,其中,IGCT压装串包括沿一条直线压装的第一散热器、第一绝缘垫块以及两个IGCT,续流二极管压装串包括沿一条直线压装的第二散热器、第二绝缘垫块以及两个续流二极管,吸收二极管压装串包括沿一条直线压装的第三散热器以及第三绝缘垫块以及一个吸收二极管;支撑架,用于支撑IGCT压装串、续流二极管压装串以及吸收二极管压装串,本发明提供的两电平功率模块,易于后期维护,减少了各个元器件间母排的使用以及整个两电平功率模块的体
一种IGBT半桥功率模块.pdf
本发明公开一种IGBT半桥功率模块,涉及半导体封装及功率模块领域,IGBT半桥功率模块包括铜底板、基板、半桥电路和负极主功率端子,半桥电路包括上桥电路和下桥电路;上桥电路包括上桥IGBT芯片以及与上桥IGBT芯片反并联的第一二极管单元;下桥电路包括下桥IGBT芯片以及与下桥IGBT芯片反并联的第二二极管单元,负极主功率端子、第二二极管单元和下桥IGBT芯片垂直并列设置于基板中部,负极主功率端子、第二二极管单元和下桥IGBT芯片构成的垂直区域两侧设置有上桥IGBT芯片和第一二极管单元。基于此本发明换流回路的
一种IGCT模组结构及IGCT变流器.pdf
本申请公开了一种IGCT模组结构及IGCT变流器,包括:四个功率柱;四个功率柱包括两组,每组包括第一功率柱和第二功率柱;第一功率柱的轴向包括三个IGCT,第二功率柱的轴向包括四个二极管;三个IGCT与四个二极管中的三个二极管一一对应通过铜排并联,四个二极管中的另一个二极管为缓冲吸收电路中的二极管。采用四个功率柱,四个功率柱包括两组,每组包括第一功率柱和第二功率柱;第一功率柱的轴向包括三个IGCT,第二功率柱的轴向包括四个二极管;三个IGCT与四个二极管中的三个二极管一一对应通过铜排并联,每相变流器包括一个
基于桥式整流器的功率变换模块.pdf
本发明公开了基于桥式整流器的功率变换模块,包括功率开关电路和信号放大电路,功率开关电路包括三极管Q7、三极管Q8、三极管Q9、二极管D7、二极管D8、二极管D9和电感L1,电感L1一端接电压正极端,其另一端与二极管D9的阴极、三极管Q9的集电极、三极管Q8的集电极、三极管Q7的集电极连接;信号放大电路包括三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6、三极管Q10、二极管D5、二极管D6,所述三极管Q10的基极为信号输入端,其集电极与三极管Q3的基极连接;三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q10的