一种方形压接式IGBT压接结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN105405839A(43)申请公布日2016.03.16(21)申请号201510939927.6(22)申请日2015.12.15(71)申请人中国西电电气股份有限公司地址710075陕西省西安市唐兴路7号(72)发明人苟锐锋李超黎小林杨晓平封磊陈名赵朝伟郑全旭王江涛马志荣(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200代理人徐文权(51)Int.Cl.H01L25/07(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种方形压接式IGBT压接结构(57)摘要本发明提供一种方形压接式IGBT压接结构，IGBT驱动、驱动支撑架、压接式方形IGBT组成IGBT组件，多个IGBT组件与散热器间隔串联形成串联组件，串联组件两端分别与输出铜排相连接，串联组件两端分别通过顶压装置和弹性夹紧装置置于在前压力分散板和后压力分散板之间夹持固定，前压力分散板和后压力分散板通过绝缘拉杆连接固定在一起构成压接结构的支撑框架，压装结构简单，安装拆卸方便，IGBT受力均匀，且方便对单个或多个IGBT进行检测和试验，IGBT驱动带有外壳保护驱动板不受电磁干扰以及外部环境所带来的各种损害，延长其使用寿命。CN105405839ACN105405839A权利要求书1/1页1.一种方形压接式IGBT压接结构，其特征在于：IGBT驱动(15)、驱动支撑架(16)、压接式方形IGBT(17)组成IGBT组件，多个IGBT组件与散热器(18)间隔串联形成串联组件，串联组件两端分别与输出铜排(3)相连接，串联组件两端分别通过顶压装置和弹性夹紧装置置于在前压力分散板(1)和后压力分散板(2)之间夹持固定，前压力分散板(1)和后压力分散板(2)通过绝缘拉杆连接固定在一起构成压接结构的支撑框架。2.根据权利要求1所述的方形压接式IGBT压接结构，其特征在于：所述支撑框架两侧分别连接有挡板，挡板由横梁(12)和横梁连接板(13)所组成，散热器(18)两侧设有挂柱(19)，散热器(18)通过挂柱(19)搭放在两侧的挡板上。3.根据权利要求1所述的方形压接式IGBT压接结构，其特征在于：所述顶压装置由球头螺栓(8)、衬套(5)、压力销(6)和平键组成；弹性夹紧装置由碟弹(11)、压紧销(10)组成；串联组件两端分别还分别设置有前垫块(7)和后垫块(9)，前垫块(7)与位于衬套(5)内的压力销(6)相连接，后垫块(9)与套有碟簧(11)的压紧销(10)相连接，衬套(5)与碟簧(11)位于前压力分散板(1)和后压力分散板(2)之间夹持固定。4.根据权利要求3所述的方形压接式IGBT压接结构，其特征在于：所述前垫块(7)与压力销(6)相连处有凹槽，通过凹槽将前垫块(7)和压力销(6)同轴心放置，前垫块(7)与铜排之间设置有顶丝，顶丝穿过铜排(3)与前垫块(7)的中心；后垫块(9)与铜排及压紧销(10)之间分别设有顶丝，顶丝穿过后垫块(9)与压紧销(10)的圆心。5.根据权利要求4所述的方形压接式IGBT压接结构，其特征在于：所述压接式方形IGBT(17)与IGBT驱动(15)通过插口嵌入相连接，且压接式方形IGBT(17)与散热器(18)面相贴，通过尼龙销子(20)固定压接式方形IGBT的位置(17)。6.根据权利要求1-5任一项所述的方形压接式IGBT压接结构，其特征在于：所述压力销(6)和压紧销(10)分别与前压力分散板(1)和后压力分散板(2)之间设置有平键。7.根据权利要求1-5任一项所述的方形压接式IGBT压接结构，其特征在于：所述IGBT驱动(15)固定在外壳内，其外壳与散热器(18)通过驱动支撑架(16)连接在一起。2CN105405839A说明书1/4页一种方形压接式IGBT压接结构技术领域[0001]本发明涉及电力系统中大功率电力电子器件的装配方法及装置，具体涉及一种方形压接式IGBT压接结构。背景技术[0002]IGBT(insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)是一种全控型的电力电子器件。压接式IGBT与模块式IGBT相比，除具有无焊点、双边冷却、高可靠性、耐压高、通流大等优点外，在发生故障时失效形式为短路，在串联应用时并不会因为个别器件的失效而引起整个装置的运行中断，因此非常适合于电力系统的应用。然而，目前国内大量使用的仍是晶闸管的压接技术，对于IGBT串联压接技术并未涉及。[0003]由于硅材料承受电压的限制，现有的IGBT器件的最高电压为6500V左右，而高达几十甚至上百kV电压应用的装置中，IGBT的应用多以串联形式使用，每个阀段需要串联多达几十只的IGBT器件。[0004]国内现有的关于IGBT压装技术基本上都