电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954170A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202211191902.9H01C17/06(2006.01)(22)申请日2022.09.28(30)优先权数据2021-1659532021.10.08JP(71)申请人瑞萨电子株式会社地址日本东京都(72)发明人伊藤望国宗依信安部谦一郎白石信仁(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所11256专利代理师张宁(51)Int.Cl.H01C7/02(2006.01)H01C7/04(2006.01)H01C7/00(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图4页(54)发明名称电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法(57)摘要本公开涉及电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法。电阻器材料包括多个具有正电阻温度系数的晶相和具有负电阻温度系数并且电阻率高于晶相的非晶相，其中晶相和非晶相处于混合状态。另外，提供了一种具有由上述电阻器材料构成的电阻器膜的电阻器元件，并且提供了一种通过形成具有负电阻温度系数的非晶材料的膜并且对该膜进行退火处理以获取电阻器元件来制造电阻器元件的方法。CN115954170ACN115954170A权利要求书1/2页1.一种电阻器材料，包括：多个晶相，具有正电阻温度系数；以及非晶相，具有负电阻温度系数并且具有比所述多个晶相中的每个晶相高的电阻率。2.根据权利要求1所述的电阻器材料，其中所述非晶相存在于所述多个晶相之中，并且所述多个晶相在其中彼此不连续的部分被设置。3.根据权利要求1所述的电阻器材料，其中所述电阻器材料的电阻率为1.0mΩ·cm或更大，并且所述电阻器材料的所述电阻温度系数的绝对值为150ppm/℃或更小。4.根据权利要求1所述的电阻器材料，其中所述电阻器材料包含金属、硅和碳作为构成元素，并且其中所述多个晶相中的每个晶相包括金属硅基晶体，并且所述非晶相包括金属原子、硅原子和碳原子。5.根据权利要求4所述的电阻器材料，其中所述金属是选自铬、锰、铁和钴中的至少一种。6.根据权利要求5所述的电阻器材料，其中所述金属硅基晶体包含选自Cr5‑xSi3‑zCx+z(其中0≤x≤3，0≤z≤1)和CrSi2中的至少一种。7.根据权利要求6所述的电阻器材料，其中在所述构成元素中，以原子数计，硅含量与铬含量的比率(Si/Cr)大于2，并且碳含量为15at％至30at％。8.根据权利要求7所述的电阻器材料，其中所述电阻器材料的电阻率为1.5mΩ·cm或更大。9.根据权利要求1所述的电阻器材料，其中被包含在所述多个晶相中的晶体的平均粒径为50nm或更小。10.根据权利要求9所述的电阻器材料，其中所述晶体的所述平均粒径为5nm至35nm。11.一种电阻器元件，包括：电阻器膜，由根据权利要求1所述的电阻器材料构成。12.一种制造电阻器元件的方法，包括：形成具有负电阻温度系数的非晶材料的膜以形成电路的一部分；以及使所形成的所述非晶材料的膜经历退火处理，并且使所述非晶材料的一部分结晶，从而形成电阻器膜，所述电阻器膜包括具有正电阻温度系数的多个晶相以及具有比所述晶相更高的电阻率的非晶相。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述退火处理被进行，使得所述电阻器膜具有由于所述多个晶相中所述非晶相的存在而使所述多个晶相在其中彼此不连续的部分。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述电阻器膜包含金属、硅和碳作为构成元素，并且2CN115954170A权利要求书2/2页其中所述多个晶相中的每个晶相包括金属硅基晶体，并且所述非晶相包括金属原子、硅原子和碳原子。15.根据权利要求14所述的方法，其中所述金属是选自铬、锰、铁和钴中的至少一种。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述金属硅基晶体包含选自Cr5‑xSi3‑zCx+z(其中0≤x≤3，0≤z≤1)和CrSi2中的至少一种。17.根据权利要求16所述的方法，其中在所述构成元素中，以原子数计，硅含量与铬含量的比率(Si/Cr)大于2，并且碳含量为15at％至30at％。18.根据权利要求12所述的方法，其中构成所述多个晶相的晶体的平均粒径为35nm或更小。19.根据权利要求14所述的方法，其中所述退火处理的温度为400℃至700℃。3CN115954170A说明书1/8页电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法[0001]相关申请的交叉引用[0002]于2021年10月8日提交的日本专利申请No.2021‑165953的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用整体并入本文。背景技术[0003]本发明涉及电阻器材料、电阻器元件以及电阻器元件的制造方法，并且具体地涉及适用于半导体器件的薄膜电阻器元件的电阻器材料、使用电阻器材