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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115954540A(43)申请公布日2023.04.11(21)申请号202310004936.0(22)申请日2023.01.03(71)申请人上海电气集团股份有限公司地址200336上海市长宁区兴义路8号30层(72)发明人苏秀丽陈婧晗李旺(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283专利代理师刘奉丽(51)Int.Cl.H01M10/0565(2010.01)H01M10/0525(2010.01)H01M10/42(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称一种凝胶电解质及其制备方法、应用(57)摘要本发明公开了一种凝胶电解质及其制备方法、应用。该凝胶电解质的制备方法包括下述步骤:S1:将埃洛石纳米管HNTs、聚偏二氟乙烯PVDF或聚偏氟乙烯‑六氟丙烯PVDF‑HFP、N‑甲基吡咯烷酮NMP的混合溶液涂覆在基质上,制得膜前体;混合溶液中,HNTs的含量为1~9%;PVDF或PVDF‑HFP的含量为9~10%;S2:将涂覆有膜前体的基质从底部进行冷却,再移至凝固浴中即可制得PVDF@HNTs复合膜或PVDF‑HFP@HNTs复合膜;冷却的条件为在5s内降温至‑80~‑60℃;S3:将PVDF@HNTs复合膜或PVDF‑HFP@HNTs复合膜浸入电解液中,干燥即可。本发明提供的凝胶电解质呈蜂窝状结构,且其具有稳定性高、机械性能和电化学性能优异的效果。CN115954540ACN115954540A权利要求书1/2页1.一种凝胶电解质的制备方法,其特征在于,其包括下述步骤:S1:将埃洛石纳米管HNTs、聚偏二氟乙烯PVDF或聚偏氟乙烯‑六氟丙烯PVDF‑HFP、N‑甲基吡咯烷酮NMP的混合溶液涂覆在基质上,制得膜前体;所述混合溶液中,所述HNTs的含量为1~9%,%是指HNTs占混合溶液的质量百分比;所述PVDF或所述PVDF‑HFP的含量为9~10%,%是指PVDF或PVDF‑HFP占混合溶液的质量百分比;S2:将涂覆有膜前体的基质从底部进行冷却,再移至凝固浴中即可制得PVDF@HNTs复合膜或PVDF‑HFP@HNTs复合膜;所述冷却的条件为在5s内降温至‑80~‑60℃;S3:将所述PVDF@HNTs复合膜或所述PVDF‑HFP@HNTs复合膜浸入电解液中,干燥即可。2.如权利要求1所述的凝胶电解质的制备方法,其特征在于,S1中,所述HNTs的含量为1%、2%、3%或4%;和/或,S1中,所述PVDF或所述PVDF‑HFP的含量为6%、7%、8%或9%;和/或,S1中,所述混合溶液中,固含量为8~15%,优选为6~10%,例如10%;和/或,S1中,所述混合溶液通过先将所述HNTs溶解于所述NMP中,再加入所述PVDF或所述PVDF‑HFP制得;和/或,S1中,所述涂覆的方式为刮刀涂布;和/或,S1中,所述基质为PTFE基板;和/或,S1中,所述膜前体的厚度为50~300μm,例如100μm。3.如权利要求2所述的凝胶电解质的制备方法,其特征在于,S1中,所述溶解的方式为超声分散;所述超声分散的时间优选为10min;和/或,S1中,所述PVDF或所述PVDF‑HFP加入后,通过加热搅拌的方式溶解;所述加热的温度优选为50℃。4.如权利要求1所述的凝胶电解质的制备方法,其特征在于,S2中,所述冷却采用液氮处理或冷阱处理;和/或,S2中,所述凝固浴的温度为‑20~0℃;和/或,S2中,所述凝固浴的溶剂为去离子水或有机溶剂;和/或,S2中,凝固浴处理后,还进行干燥的操作。5.如权利要求4所述的凝胶电解质的制备方法,其特征在于,当采用液氮处理时,将所述基质的底部与液氮接触即可;当采用冷阱处理时,温度达到能够冷冻膜前体即可;和/或,S2中,所述有机溶剂的种类为聚合物PVDF或PVDF‑HFP的不良溶剂,优选为异丙醇;和/或,S2中,所述干燥的操作可不采用冷冻干燥;和/或,所述干燥为先于烘箱中60℃烘干1~2h,再于80℃真空干燥12h。6.如权利要求1所述的凝胶电解质的制备方法,其特征在于,S3中,所述PVDF@HNTs复合膜或所述PVDF‑HFP@HNTs复合膜在浸入前还包括裁切的操作;和/或,S3中,所述电解液为超高浓度电解液SCE;优选地,所述超高浓度电解液SCE包括:锂盐为双三氟甲烷磺酰亚胺锂LiTFSI,溶剂为氟代碳酸乙烯酯FEC和碳酸二甲酯DMC混合溶液;和/或,S3中,所述干燥为真空干燥;所述真空干燥的时间优选为1h;2CN115954540A权利要求书2/2页和/或,S3中,所述干燥后还可包括静置的操作;所述静置的时间优选为6h。7.如权利要求6所述的凝胶电解质的制备方法,其特征在于,所述锂盐的浓度为2~5M,例如3M;和/