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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966511A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202211550267.9(22)申请日2022.12.05(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人赵常宝胡胜叶国梁(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280专利代理师黎坚怡(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H10N97/00(2023.01)H01L25/04(2023.01)权利要求书2页说明书13页附图14页(54)发明名称半导体器件及其制造方法(57)摘要本申请实施例提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法将M个基板依次键合,其中,第N个基板键合至第N‑1个基板,在第N个基板远离第N‑1个基板的一侧形成第N个器件;在第N个器件外围第N个基板远离第N‑1个基板的一侧开设N‑1组第一开孔,N‑1组第一开孔贯穿第N个基板以分别暴露第N‑1个器件和第N‑1个基板上的N‑2组第一开孔;在第N个基板上的N‑1组第一开孔中填充导电材料形成导电插塞,使导电插塞将M个基板上分别设置的器件电性引出,以便于后续供更多的电路结构使用,提高半导体器件的面积利用率。CN115966511ACN115966511A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:将M个基板依次键合,其中,将第N个基板键合至第N‑1个基板的步骤包括,将第N个基板键合至第N‑1个基板,在所述第N个基板远离所述第N‑1个基板的一侧形成第N个器件;在第N个基板开设N‑1组第一开孔,所述N‑1组第一开孔位于所述第N个器件外围,从所述第N个基板远离所述第N‑1个基板的一侧开设并贯穿所述第N个基板以分别暴露所述第N‑1个器件和第N‑1个基板上开设的N‑2组第一开孔;在所述第N个基板上的所述N‑1组第一开孔中填充导电材料形成导电插塞;其中,2≤N≤M,且N、M为整数。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,当N=M时,还包括,在所述第M个基板开设第二开孔,所述第二开孔从所述第M个基板远离所述第M‑1个基板的一侧开设以暴露所述第M个器件。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当N=M时,在所述第N个基板上的所述N‑1组第一开孔与所述第二开孔中填充导电材料之后,还包括,在所述第M个基板远离所述第M‑1个基板的一侧形成重布线层,所述重布线层将所述第M个基板所述M‑1组第一开孔与所述第二开孔中的所述导电插塞电性引出。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第N个器件与所述第N‑1个器件在所述第N个基板表面上的正投影至少部分重叠。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述器件为深沟槽电容。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,第N个所述深沟槽电容的形成方法包括,所述第N个基板具有相背的第一表面和第二表面;在所述第N个基板第一表面开设从所述第一表面向所述第二表面延伸的第N个沟槽,在所述第N个沟槽中形成第N个深沟槽电容,所述第N个深沟槽电容包括依次随形覆在所述第N个沟槽的表面以及所述第N个沟槽外围的所述第N个基板的第一表面的第一导电层和第二导电层以及位于所述第一导电层和所述第二导电层之间并绝缘所述第一导电层和所述第二导电层的介质层;其中,所述第一导电层和所述第二导电层分别作为所述深沟槽电容的所述上极板与所述下极板。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,将所述第N个基板的第二表面键合至所述第N‑1个基板的第一表面。8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述第N个基板键合至第N‑1个基板之后、形成所述第N个器件之前,将所述第N个基板远离所述第N‑1基板的一侧进行减薄。9.一种半导体器件,其特征在于,包括:依次键合的M个基板,其中,第N个基板远离第N‑1个基板的一侧形成有第N个器件;所述第N个器件外围所述第N个基板远离所述第N‑1个基板的一侧开设有N‑1组第一开孔,所述N‑1组第一开孔贯穿所述第N个基板以分别暴露所述第N‑1个器件和第N‑1个基板上的N‑2组第一开孔;所述第N个基板上的所述N‑1组第一开孔中填充有导电插塞;其中,2≤N≤M,且N、M为整数。2CN115966511A权利要求书2/2页10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,当N=M时,第M个基板远离第M‑1个基板的一侧开设有第二开孔,所述第二开孔暴露所述第M个器件。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述第二开孔中填充有导电插塞;在所述第M个基板远离所述第M‑1个基板的一侧形成有重布线层,所述重布线层将所述第M个基板M‑1组第一开孔与所述第二开孔中的所述导电插塞电性引出。3CN115966511A说明书1/