半导体器件及其制造方法.pdf
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半导体器件及其制造方法.pdf
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法,所述半导体器件的制造方法包括:在切割道区的第一沟槽上的光刻胶层中形成第一开口,且在器件区上的光刻胶层中形成第二开口,第一开口的底部保留部分厚度的光刻胶层,第二开口暴露出器件区的器件晶圆的顶表面;以及,执行刻蚀工艺,以去除第一开口的底部保留的光刻胶层,并在第一开口的底部的器件晶圆中形成第二沟槽,在第二开口的底部的器件晶圆中形成第三沟槽,第二沟槽的深度小于第三沟槽的深度。本发明的技术方案使得切割道区的用于制作对准标记的第二沟槽的深度与器件区的用于制作器件结构的第三沟槽的
半导体器件及其制造方法.pdf
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括:在衬底上形成栅叠层;在所述栅叠层上形成停止层,所述停止层共形地覆盖所述栅叠层;在所述停止层上形成牺牲层;将所述牺牲层图案化,使得所述牺牲层在所述栅叠层侧壁的部分保留从而形成牺牲侧墙;采用所述栅叠层和所述牺牲侧墙作为第一硬掩模,在所述衬底上进行第一次离子注入,以形成源漏区;去除所述牺牲侧墙;以及采用所述栅叠层作为第二硬掩模,在所述衬底上进行第二次离子注入,以形成轻掺杂漏区。该方法采用同一个光致抗蚀剂掩模,采用牺牲侧墙作为附加的硬掩模形成源漏区,在去除牺
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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在栅极替换工艺中,形成虚设栅极和相邻结构;在栅极替换工艺中,形成虚设栅极和相邻结构,例如源极/漏极区域。使用定向蚀刻来至少部分地去除虚设栅极,以去除一些但并非全部的虚设栅极以形成沟槽。虚设栅极的一部分保留并保护相邻结构。然后可以在沟槽中形成栅极电极。可以采用两步骤工艺,首先使用各向同性蚀刻,然后进行定向蚀刻。
半导体器件及其制造方法.pdf
本申请实施例提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法将M个基板依次键合,其中,第N个基板键合至第N‑1个基板,在第N个基板远离第N‑1个基板的一侧形成第N个器件;在第N个器件外围第N个基板远离第N‑1个基板的一侧开设N‑1组第一开孔,N‑1组第一开孔贯穿第N个基板以分别暴露第N‑1个器件和第N‑1个基板上的N‑2组第一开孔;在第N个基板上的N‑1组第一开孔中填充导电材料形成导电插塞,使导电插塞将M个基板上分别设置的器件电性引出,以便于后续供更多的电路结构使用,提高半导体器件的面积利用率。
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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据一个实施例,半导体器件包括结构体、绝缘膜和控制电极。结构体具有第一表面且包括:包括第一导电类型的碳化硅的第一半导体区、包括第二导电类型的碳化硅的第二半导体区和包括第一导电类型的碳化硅的第三半导体区。结构体具有在沿第一表面的第一方向上第一半导体区、第二半导体区和第三半导体区以此顺序设置的部分。绝缘膜设置在结构体的第一表面上。控制电极设置在绝缘膜上。结构体具有设置在第二半导体区与第一表面之间的埋入区。埋入区掺杂有V族元素。