一种KDP倍频晶体结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115966999A(43)申请公布日2023.04.14(21)申请号202310022044.3(22)申请日2023.01.06(71)申请人天水师范学院地址741099甘肃省天水市秦州区藉河南路(72)发明人令维军杨金芳张明霞朱永乐王玉平路飞平李向兵董忠(74)专利代理机构北京高沃律师事务所11569专利代理师孙玲(51)Int.Cl.H01S3/109(2006.01)H01S3/10(2006.01)H01S5/06(2006.01)H01S5/062(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图3页(54)发明名称一种KDP倍频晶体结构(57)摘要本发明公开一种KDP倍频晶体结构，包括晶体固定结构、KDP晶体、π偏振管和σ偏振管；中心波长800nm的π偏振光，经过π偏振管，进入KDP晶体，由KDP晶体将中心波长800nm的π偏振光倍频为中心波长400nm的σ偏振光，最后从σ偏振管输出。π偏振管和σ偏振管的封闭端斜面均采用布儒斯特角设计，KDP晶体置于由π偏振管、σ偏振管和晶体固定结构围合形成的真空密闭管腔中，省去了晶体镀膜烦杂的程序，也避免了KDP晶体在空气中潮解，克服了现有晶体KDP镀膜层易受高强度基频光损伤，从而造成晶体使用寿命短，镀膜难度增加，镀膜技术要求提高的问题。本发明结构简单，通过简单的机械加工即可获得，制造成本低。CN115966999ACN115966999A权利要求书1/2页1.一种KDP倍频晶体结构，其特征在于，包括：晶体固定结构；KDP晶体，所述KDP晶体固定于所述晶体固定结构上，且所述KDP晶体的入射面和出射面分别暴露于所述晶体固定结构的两侧；所述KDP晶体用于将中心波长800nm的π偏振激光倍频为中心波长400nm的σ偏振激光；π偏振管，所述π偏振管的一端开口，另一端由布儒斯特角斜面封闭，所述π偏振管的管壁上设置有抽真空口；所述π偏振管的开口端与所述晶体固定结构的一侧密封连接，以将所述KDP晶体的入射面密封；所述π偏振管能够对中心波长800nm的π偏振激光高透；σ偏振管，所述σ偏振管的一端开口，另一端由布儒斯特角斜面封闭，所述σ偏振管的管壁上设置有抽真空口；所述σ偏振管的开口端与所述晶体固定结构的另一侧密封连接，以将所述KDP晶体的出射面密封；其中，所述σ偏振管的布儒斯特角斜面与所述π偏振管的布儒斯特角斜面相互垂直，所述σ偏振管σ能够对中心波长400nm的σ偏振激光高透。2.根据权利要求1所述的KDP倍频晶体结构，其特征在于，所述KDP晶体为圆柱形晶体，所述入射面和所述出射面分别位于所述圆柱形晶体的轴向两端；所述晶体固定结构包括：空心夹，所述空心夹的中心开设有圆柱形安装孔，所述圆柱形安装孔的轴向一端设置有防止晶体脱出的挡圈，所述圆柱形晶体设置于所述圆柱形安装孔内，且所述圆柱形晶体的轴向一端与所述挡圈相抵，所述挡圈的内圈用于暴露所述入射面和所述出射面中的一者；固定件，所述固定件与所述圆柱形安装孔的另一端连接，并与所述圆柱形晶体的轴向另一端相抵，以将所述圆柱形晶体固定于所述圆柱形安装孔内；所述固定件的中心开设镂空孔，用于暴露所述入射面和所述出射面中的另一者。3.根据权利要求2所述的KDP倍频晶体结构，其特征在于，所述空心夹为圆柱状空心夹，所述圆柱形安装孔与所述圆柱状空心夹同轴布置；所述圆柱状空心夹的中间径向向外凸出形成台阶圆环，所述π偏振管的开口端套设于所述圆柱状空心夹的一端，并与所述台阶圆环的一侧端面密封连接，所述σ偏振管的开口端套设于所述圆柱状空心夹的另一端，并与所述台阶圆环的另一侧端面密封连接。4.根据权利要求3所述的KDP倍频晶体结构，其特征在于，所述π偏振管的开口端与所述台阶圆环的一侧端面粘接密封；所述σ偏振管的开口端与所述台阶圆环的另一侧端面粘接密封。5.根据权利要求3所述的KDP倍频晶体结构，其特征在于，所述圆柱状空心夹的侧壁内开设有若干平行于其轴向的通孔，所有所述通孔沿所述圆柱状空心夹周向均匀分布，且任意一所述通孔的两端均贯穿所述圆柱状空心夹的轴向两端，以实现所述π偏振管与所述σ偏振管的连通。6.根据权利要求2～5任意一项所述的KDP倍频晶体结构，其特征在于，所述固定件与所述圆柱形安装孔螺纹连接。7.根据权利要求2～5任意一项所述的KDP倍频晶体结构，其特征在于，所述π偏振管和所述σ偏振管均为圆柱形偏振管，且所述圆柱形晶体、所述π偏振管和所述σ偏振管同轴布置。8.根据权利要求7所述的KDP倍频晶体结构，其特征在于，所述π偏振管和所述σ偏振管2CN115966999A权利要求书2/2页均为石英玻璃管；所述π偏振管的布儒斯特角斜面与所述π偏振管的轴线之间的夹角为34.5°，所述σ偏振管的布儒斯特角斜面与所述σ偏振管的