层叠陶瓷电容器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115985686A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202310218898.9(51)Int.Cl.(22)申请日2020.12.25H01G4/12(2006.01)H01G4/005(2006.01)(30)优先权数据H01G4/232(2006.01)2019-2381842019.12.27JPH01G4/30(2006.01)2020-1860172020.11.06JP(62)分案原申请数据202011572771.X2020.12.25(71)申请人株式会社村田制作所地址日本京都府(72)发明人黑须勇太齐藤雄太若岛诚宽福永大树筒井悠(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021专利代理师赵琳琳权利要求书2页说明书33页附图33页(54)发明名称层叠陶瓷电容器(57)摘要本发明提供一种能够至少抑制向内部电极的端部的电场集中而使可靠性提高的层叠陶瓷电容器。在第2电介质陶瓷层与第1内部电极层之间以及第2电介质陶瓷层与第2内部电极层之间分别形成有第2合金部，该第2合金部包含构成内部电极层的金属元素之中包含最多的一种金属元素和Sn、In、Ga、Zn、Bi、Pb、Cu、Ag、Pd、Pt、Ph、Ir、Ru、Os、Fe、V、Y的金属组中的任一种以上的金属元素。CN115985686ACN115985686A权利要求书1/2页1.一种层叠陶瓷电容器，具备：层叠体，包含在层叠方向上层叠的电介质陶瓷层以及内部电极层；和外部电极，与所述内部电极层连接，在所述层叠陶瓷电容器中，所述层叠体具有：第1主面以及第2主面，在所述层叠方向上相对；第1侧面以及第2侧面，在与所述层叠方向正交的宽度方向上相对；和第1端面以及第2端面，在与所述层叠方向以及所述宽度方向正交的长度方向上相对，所述内部电极层包含：第1内部电极层，引出到所述第1端面；和第2内部电极层，引出到所述第2端面，使得隔着所述电介质陶瓷层而与所述第1内部电极层对置，所述外部电极包含：第1外部电极，配置在所述第1端面上，且与所述第1内部电极层连接；和第2外部电极，配置在所述第2端面上，且与所述第2内部电极层连接，所述电介质陶瓷层包含第1电介质陶瓷层和第2电介质陶瓷层，所述第1电介质陶瓷层配置在所述第1内部电极层与所述第2内部电极层之间，所述第2电介质陶瓷层配置为包含隔着所述内部电极层对置的所述第1电介质陶瓷层间的未配置所述内部电极层的区域，且其一部分与所述第1电介质陶瓷层在所述层叠方向上重叠，所述层叠体具有：内层部，所述第1内部电极层以及所述第2内部电极层隔着所述电介质陶瓷层交替地层叠；外层部，配置为在所述层叠方向上夹着所述内层部，且包含陶瓷材料；和第3电介质陶瓷层，配置为在所述宽度方向上夹着所述内层部以及所述外层部，且包含电介质陶瓷材料，所述第3电介质陶瓷层包含多个电介质陶瓷层，具有配置在所述层叠体的所述宽度方向的最内侧的内侧层、以及配置在所述层叠体的所述宽度方向的最外侧的外侧层，所述内侧层包含Si、Mg、Mn之中的至少一种元素，其元素的含有率比所述第1电介质陶瓷层以及第2电介质陶瓷层的含有率多。2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，在所述第2电介质陶瓷层与所述第3电介质陶瓷层之间具有所述第2电介质陶瓷层的一部分缺损的缺损部。3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，在所述第2电介质陶瓷层与所述第3电介质陶瓷层之间具有所述第2电介质陶瓷层的一部分缺损的缺损部，在所述缺损部配置有Si的偏析。4.根据权利要求3所述的层叠陶瓷电容器，其中，所述Si的偏析为所述第2电介质陶瓷层的厚度的1/3以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠陶瓷电容器，其中，在所述第2电介质陶瓷层与所述第3电介质陶瓷层之间具有所述第2电介质陶瓷层的一部分缺损的缺损部，所述缺损部靠近所述内部电极层进行配置。6.根据权利要求3或4所述的层叠陶瓷电容器，其中，在所述宽度方向上，所述Si的偏析的尺寸为所述第3电介质陶瓷层的尺寸的0.1％以上且5％以下。2CN115985686A权利要求书2/2页7.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，所述第3电介质陶瓷层中的Si的含有率相对于100摩尔的Ti为0.05摩尔％以上且5.0摩尔％以下。8.根据权利要求1或7所述的层叠陶瓷电容器，其中，所述第3电介质陶瓷层中的Mg的含有率相对于100摩尔的Ti为0.05摩尔％以上且5.0摩尔％以下。9.根据权利要求1或8所述的层叠陶瓷电容器，其中，所述第3电介质陶瓷层中的Mn的含有率相对于100摩尔的Ti为0.01摩尔％以上且3.0摩尔％以下。3CN115985686A说明书1/33页层叠陶瓷电容器[0001]本申请是申请日为202