一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法.pdf
猫巷****雪凝
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一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法.pdf
本发明公开一种仿生光电储备池神经形态器件及其制备方法。该光电储备池神经形态器件包括:衬底;种子层,形成在所述衬底上;隔离层,形成在所述种子层上;氧化物纳米线网络,形成在所述隔离层表面,作为电子储备池,利用生长的氧化物纳米线随机排布的特性构建储备池中的神经元节点,借助氧化物纳米线的忆阻行为实现类人脑的随机相连的储备池神经元;具有光电响应的半导体量子点,生长在氧化物纳米线网络上,对其进行修饰,将器件的响应从纯电学拓展至光电响应,实现对光信号的感知功能;工作电极,生长在纳米线网络上。
一种神经突触仿生器件及其仿生控制方法.pdf
本发明公开了一种神经突触仿生器件及其仿生控制方法,属于微电子器件技术领域,包括由下至上依次分布的下电极、阻变层、阻挡层和上电极;其中,阻变层为具有能级缺陷的阻变层,能够自发的捕获和释放载流子,且无需预先进行forming操作产生软击穿即可具有稳定的阻变特性,并不会对器件内部结构产生严重破坏,能够更加精确的模拟神经突触的功能。同时还可抑制神经信号之间的干扰,减小忆阻阵列中神经网络训练和推理运算过程中忆阻器件非理想因素的影响。
一种织物型可穿戴神经形态突触器件及其制备方法.pdf
本发明公开一种织物型可穿戴神经形态突触器件及其制备方法。该织物型可穿戴神经形态突触器件包括:第一金属织物,作为顶电极;有机聚合物铁电薄膜,包覆在所述第一金属织物上,仅在端部保留部分所述第一金属织物露出;有机半导体材料层,包覆在所述有机聚合物铁电薄膜上,仅在端部保留部分所述有机聚合物铁电薄膜露出;第二金属织物,与所述第一金属织物以十字交叉的方式排列,作为底电极;利用光源激励与电学脉冲作为光电双重模式的不同信号源,实现光激励的神经突触权重增强与电激励的神经突触权重抑制效果。
一种光电储能器件及其制备方法.pdf
本发明提供了一种光电储能器件及其制备方法,所述的光电储能器件包括依次层叠设置的底面导电玻璃、负极、玻璃纤维膜、绝缘层、正极、对电极、空穴传输层、钙钛矿层和电子传输层和顶面导电玻璃,所述的底面导电玻璃和顶面导电玻璃电性导通,所述钙钛矿层的厚度一侧设置光照窗口,所述对电极的厚度一侧和底面导电玻璃的厚度一侧分别引出正极极耳和负极极耳。本发明将正极、负极和钙钛矿太阳能进行了综合开发,直接将太阳能转化为电能储存并输出提高了能源利用率,能量来源不断,且可持续,对推动当下碳中和,碳达峰起到了一定作用。
一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法.pdf
本发明属于半导体技术领域,公开了一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法,包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极,其特征在于,所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方,二者隔开;源漏电极位于有机半导体层上方。本发明所提供的器件同时具有底栅和水平栅,双栅结构使本发明器件可以实现底栅写入、水平栅读取或者水平栅写入、底栅读取等操作,有效避免了器件在写入、读取操作时产生的串扰问题;器件同时还存在电双层效应和电荷捕获效应两种电荷效应;器件大部分采用溶