一种用于对硅片进行双面研磨的装置及方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115972078A(43)申请公布日2023.04.18(21)申请号202211690174.6(22)申请日2022.12.27(71)申请人西安奕斯伟材料科技股份有限公司地址710065陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室(72)发明人张舸(74)专利代理机构西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙)61253专利代理师宋东阳归莹(51)Int.Cl.B24B37/08(2012.01)B24B37/28(2012.01)B24B27/00(2006.01)B24B47/12(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种用于对硅片进行双面研磨的装置及方法(57)摘要本发明实施例公开了一种用于对硅片进行双面研磨的装置及方法，所述装置包括：用于承载硅片的载环；一对静压板，用于使流体静压作用于承载在所述载环上的硅片的两个侧面；具有不同于彼此的研磨精度的至少两对磨轮，每对磨轮均设置在所述一对静压板上并且用于对硅片的两个侧面进行研磨，其中，每对磨轮的直径均小于硅片的直径，以便在硅片受到所述流体静压的同时对硅片进行研磨，并且每对磨轮的直径均大于硅片的半径，以便在相对于硅片处于适于研磨的位置时能够通过硅片和磨轮绕各自的中心轴线旋转实现对整个硅片的研磨；驱动机构，用于使所述载环与所述一对静压板之间产生相对运动，以使得每对磨轮都能够相对于硅片处于所述适于研磨的位置。CN115972078ACN115972078A权利要求书1/1页1.一种用于对硅片进行双面研磨的装置，其特征在于，所述装置包括：载环，所述载环用于承载硅片；一对静压板，所述一对静压板用于使流体静压作用于承载在所述载环上的硅片的两个侧面；具有不同于彼此的研磨精度的至少两对磨轮，每对磨轮均设置在所述一对静压板上并且用于对硅片的两个侧面进行研磨，其中，每对磨轮的直径均小于硅片的直径，以便在硅片受到所述流体静压的同时对硅片进行研磨，并且每对磨轮的直径均大于硅片的半径，以便在相对于硅片处于适于研磨的位置时能够通过硅片和磨轮绕各自的中心轴线旋转实现对整个硅片的研磨；驱动机构，所述驱动机构用于使所述载环与所述一对静压板之间产生相对运动，以使得每对磨轮都能够相对于硅片处于所述适于研磨的位置。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述驱动机构驱动所述载环相对于保持固定不动的所述一对静压板运动。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述驱动机构驱动所述一对静压板相对于保持固定不动的所述载环运动。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述驱动机构驱动所述一对静压板绕转动轴线转动，所述至少两对磨轮在所述一对静压板的转动方向上均匀分布。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置包括四对磨轮。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述四对磨轮的磨粒的粒径彼此不同。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述四对磨轮的磨粒的粒径分别为2000目、3000目、4000目、4500目。8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述一对静压板形成有通孔，加压流体穿过所述通孔流动以提供所述流体静压。9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述一对静压板上设置有清洁喷头，所述清洁喷头用于朝向硅片喷射清洁液以对硅片进行清洁。10.一种用于对硅片进行双面研磨的方法，其特征在于，所述方法利用根据权利要求1至9中任一项所述的装置来进行。2CN115972078A说明书1/4页一种用于对硅片进行双面研磨的装置及方法技术领域[0001]本发明涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种用于对硅片进行双面研磨的装置及方法。背景技术[0002]半导体硅片的生产工艺通常包括拉晶、线切割、研磨、抛光等处理过程。其中对于双面研磨工艺而言，硅片被夹置在两个静压板之间，以便使硅片能够在不与两个静压板接触的情况下通过每个静压板与硅片之间的流体的静压而得到支承，在硅片被支承后便可以利用对置的磨轮对硅片的两个主表面进行研磨。[0003]对于硅片的双面研磨工艺而言，由于待被研磨的硅片有不同等级的产品需求，因此加工工艺需求也是不同的。比如对于获得材料去除量大并且研磨精度要求高的硅片而言，为了提高生产效率，首先需要将研磨精度低的磨轮装配在双面研磨装置中，以快速去除硅片材料，然后再将研磨精度低的磨轮从双面研磨装置中拆除，并将研磨精度高的磨轮装配在双面研磨装置中，以获得硅片较高的研磨精度。也就是说，为了提高生产效率或者说缩短研磨时间，提升研磨后硅片的质量，满足不同的产品需求和加工特性需求，需要频繁更换多种不同规格磨轮。[0004]但是，频繁更换磨轮耗时耗力，并且会浪费大量时间从而造成产能降低。而且，每次更换新的磨轮后都需要对双面研磨装