存储器版图及存储器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116013376A(43)申请公布日2023.04.25(21)申请号202310307211.9(22)申请日2023.03.27(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人李忠华(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260专利代理师成丽杰(51)Int.Cl.G11C5/02(2006.01)G11C5/06(2006.01)G11C11/4063(2006.01)G11C17/16(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图5页(54)发明名称存储器版图及存储器(57)摘要本公开涉及一种存储器版图及存储器，存储器版图包括：数据处理版图，在排列方向上包括：n个子处理版图，每一子处理版图对应连接数据传输线；其中，在数据传输线的延伸方向上，数据传输线设置于对应连接的子处理版图的延长区域内，排列方向与数据传输线的延伸方向垂直，n条数据传输线之间的间隙构成n‑1个间隙位；反熔丝存储阵列版图，包括n‑1个反熔丝子阵列版图，n‑1个反熔丝子阵列版图一一对应设置于n‑1个间隙位中；反熔丝控制电路版图，设置于任意间隙位中，以优化存储器版图中部分线道布局比较混乱的问题。CN116013376ACN116013376A权利要求书1/2页1.一种存储器版图，其特征在于，包括：数据处理版图（20），用于定义数据处理结构，所述数据处理结构用于对与存储块（11）交互的数据进行数据传输与放大，所述数据处理版图（20）在排列方向上包括：n个子处理版图（21），每一所述子处理版图（21）对应连接数据传输线（40）；其中，在所述数据传输线（40）的延伸方向上，所述数据传输线（40）设置于对应连接的所述子处理版图（21）的延长区域内，所述排列方向与所述数据传输线的延伸方向垂直，n条所述数据传输线（40）之间的间隙构成n‑1个间隙位；反熔丝存储阵列版图（50），用于定义反熔丝阵列，所述反熔丝阵列用于记录所述存储块（11）中错误的存储单元的地址信息，所述反熔丝存储阵列版图（50）包括n‑1个反熔丝子阵列版图（51），所述n‑1个反熔丝子阵列版图（51）一一对应设置于所述n‑1个间隙位中；反熔丝控制电路版图（60），用于定义反熔丝控制电路，所述反熔丝控制电路用于控制选中所述反熔丝阵列中的目标反熔丝单元，所述反熔丝控制电路版图（60）设置于任意所述间隙位中。2.根据权利要求1所述的存储器版图，其特征在于，包括：所述n个子处理版图（21）包括：在排列方向上依次排布的第一子处理版图（211）、第二子处理版图（212）、第三子处理版图（213）和第四子处理版图（214）；所述第一子处理版图（211）连接第一数据传输线（401），所述第二子处理版图（212）连接第二数据传输线（402），所述第三子处理版图（213）连接第三数据传输线（403），所述第四子处理版图（214）连接第四数据传输线（404）；所述第一数据传输线（401）和所述第二数据传输线（402）之间的间隙构成第一间隙位，所述第二数据传输线（402）和所述第三数据传输线（403）之间的间隙构成第二间隙位，所述第三数据传输线（403）和所述第四数据传输线（404）之间的间隙构成第三间隙位；所述n‑1个反熔丝子阵列版图（51）包括：第一反熔丝子阵列版图（511）、第二反熔丝子阵列版图（512）和第三反熔丝子阵列版图（513），所述第一反熔丝子阵列版图（511）设置于所述第一间隙位中，所述第二反熔丝子阵列版图（512）设置于所述第二间隙位中，所述第三反熔丝子阵列版图（513）设置于所述第三间隙位中。3.根据权利要求1所述的存储器版图，其特征在于，所述n‑1个反熔丝子阵列版图（51）的结构相同。4.根据权利要求1所述的存储器版图，其特征在于，包括：所述反熔丝子阵列版图（51），包括：沿所述数据传输线（40）的延伸方向排列的m个反熔丝集合版图（70），每一所述反熔丝集合版图（70）用于定义反熔丝存储块；所述反熔丝存储阵列版图（50），包括：第一类互联线（701）和第二类互联线（702），其中，所述第一类互联线（701）用于，在排列方向上，耦接n‑1个所述反熔丝子阵列版图（51）中处于同一排的n‑1个所述反熔丝存储块中的反熔丝存储单元，所述第二类互联线（702）用于，在所述数据传输线（40）的延伸方向上耦接所述第一类互联线（701）。5.根据权利要求1所述的存储器版图，其特征在于，包括：所述反熔丝子阵列版图（51），包括：沿所述数据传输线（40）的延伸方向排列的m个反熔丝集合版图（70），每一所述反熔丝集合版图（70）用于定义反熔丝存储块；所述反熔丝存储阵列版图（