一种异质结太赫兹超材料传感器及其制备方法.pdf
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一种异质结太赫兹超材料传感器及其制备方法.pdf
本发明提供了一种异质结太赫兹超材料传感器及其制备方法,其中该传感器包括:二氧化硅衬底层,及其依次位于所述二氧化硅衬底层上的聚酰亚胺柔性介质层、金属阵列层、石墨烯层和氮化碳层;其中,所述金属阵列层上具有多个金属周期结构单元;所述金属周期结构单元用于与太赫兹波发生共振。本发明通过在金属阵列层设置与太赫兹波发生共振的金属周期结构单元,可以改变金属阵列层的表面介质环境,致使太赫兹波段内所涉及的谐振频率和透射幅度发生改变,进而实现了对蛋白质超灵敏、多维度的探测。
基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹探测器及其制备方法.pdf
一种基于碲化铋‑石墨烯异质结的太赫兹波探测器及其制备方法,属于太赫兹波探测器件技术领域。所述探测器包括半导体衬底,形成于半导体衬底之上的绝缘层,形成于绝缘层之上的由石墨烯和碲化铋层组成的异质结,位于异质结两端的源极和漏极,以及形成于半导体衬底背面的栅极。本发明采用石墨烯和碲化铋纳米片组成的异质结作为场效应管沟道,有效解决了单层石墨烯在太赫兹频段光吸收率低的问题,吸收率相较于单层石墨烯提高了20%以上;采用背栅以及先形成源极和漏极的方法,有效保证了石墨烯‑碲化铋异质结的完整性,提高了太赫兹探测器的性能。
一种太赫兹波段超材料传感器.pdf
本发明提供的是一种太赫兹波段超材料传感器。该超材料传感器包括基底(1),基底(1)上表面镀有金属膜(2),金属膜(2)上表面设置由“十”字形介质条(3)单元构成的阵列,阵列按正方晶格排列。在太赫兹波激励下,“十”字形介质条(3)产生强烈的表面等离子体共振效应,在谐振点附近产生了尖锐的吸收峰。该传感器利用吸收率谱中表面等离子体共振效应产生的尖锐吸收峰频率在单位折射率变化内平移的量来衡量传感器的灵敏度,实现了2.3THz~2.6THz频率范围内的高灵敏折射率传感,可作为一种液体或气体传感器应用到生物医学、环境
一种自旋太赫兹源和超材料集成的太赫兹高通量生物芯片、制备方法及其应用.pdf
本发明涉及太赫兹生物传感应用技术领域,具体涉及一种自旋太赫兹源和超材料集成的太赫兹高通量生物芯片、制备方法及其应用,通过在介质层一侧生长异质结薄膜作为自旋太赫兹发射源,在另一侧设计加工周期性超材料结构并在其上包被特异性传感薄膜,当待测物滴加在传感器表面时,该特异性薄膜可以捕捉到待测物,引起超材料表面介电常数的改变,利用红外光入射到薄膜产生太赫兹辐射,太赫兹与超结构及其待测物之间的近场相互作用导致太赫兹共振峰位置的偏移,从而实现检测待测物的目的,通过制备大面积传感阵列芯片,在不同的传感芯片上包被不同的特异性
一种太赫兹石及其制备方法.pdf
一种太赫兹石及其制备方法,由以下重量份的原料制得:晶体硅40‑60、稀土元素氧化物2‑5,其制备方法如下,先将晶体硅废料放入熔炼炉中进行升温熔炼,升温至1600‑1700℃后投入稀土元素氧化物,继续升温至1750‑1790℃,立即停止供电,通过原料自身的反应快速升温,升温至2400‑2800℃后,再用稳电压加热,升温至3150‑3160℃后,熔炼结束,冷却定型,制得太赫兹石。采用本发明所述的配方及方法制得的太赫兹石,在使用过程中只需经30‑50℃的热导就能产生0.1THz‑10THz的太赫兹波。