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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111992449A(43)申请公布日2020.11.27(21)申请号202010849844.9B05C13/02(2006.01)(22)申请日2020.08.21B05C9/14(2006.01)(71)申请人山东大学地址250061山东省济南市历下区经十路17923号申请人齐鲁工业大学山东大学日照智能制造研究院山东大学苏州研究院(72)发明人张成鹏季金杜鲁涛李娟赵国庆王继来王心凝(74)专利代理机构济南圣达知识产权代理有限公司37221代理人陈晓敏(51)Int.Cl.B05C11/04(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种刮涂角度可调的高精度刮涂设备及方法(57)摘要本发明公开了一种刮涂角度可调的高精度刮涂设备及方法,包括:刮刀角度调整机构,其与刮刀连接并可调整刮刀角度;刮刀高度调整机构,其与刮刀角度调整机构连接,包括可水平移动的斜块,斜块顶面为倾斜面,刮刀角度调整机构底部与顶板连接,顶板底部通过支撑杆连接滚子,滚子与斜块顶面接触,由斜块移动可带动刮刀角度调整机构升降进而调整刮刀高度。CN111992449ACN111992449A权利要求书1/1页1.一种刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,包括:刮刀角度调整机构,其与刮刀连接并可调整刮刀角度;刮刀高度调整机构,其与刮刀角度调整机构连接,包括可水平移动的斜块,斜块顶面为倾斜面,刮刀角度调整机构底部与顶板连接,顶板底部通过支撑杆连接滚子,滚子与斜块顶面接触,由斜块移动可带动刮刀角度调整机构升降进而调整刮刀高度。2.如权利要求1所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,所述斜块底部与第一导轨滑动连接,斜块一侧与第一微分头抵靠,斜块另一侧与弹簧抵靠,由第一微分头转动带动斜块水平移动。3.如权利要求1所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,所述刮刀角度调整机构包括蜗轮,蜗轮与蜗杆轴啮合,蜗轮固定于蜗轮轴,由蜗杆轴转动可带动蜗轮轴转动。4.如权利要求3所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,所述蜗轮轴端部设置平面,其平面处与刮刀固定连接。5.如权利要求1所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,还包括升降工作台,其设置于刮刀下方,升降工作台包括可上下移动的工作台,工作台顶部支撑真空吸附台。6.如权利要求5所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,所述工作台与第二微分头连接,由第二微分头转动可带动工作台上下移动,所述工作台与竖向导轨滑动连接。7.如权利要求5所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,所述工作台和真空吸附台之间设置控温机构,所述控温机构包括半导体加热制冷片,半导体加热制冷片一面与真空吸附台相贴,半导体加热制冷片另一面与散热片相贴,散热片和工作台之间设置片弹簧。8.如权利要求5所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,所述升降工作台底部与电动平移台连接,由电动平移台带动升降工作台水平移动。9.如权利要求1所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备,其特征是,所述顶板与第二导轨滑动连接,第二导轨竖向设置。10.如权利要求1-9任一项所述的刮涂角度可调的高精度刮涂设备的刮涂方法,其特征是,包括以下步骤:将刮刀固定于刮刀角度调整机构,并调整刮刀至设定角度;调整升降工作台的高度,使真空吸附台位于刮刀下方;将基底放置于真空吸附台进行吸附固定,调节真空吸附台至设定温度;调整斜块位置以调整刮刀高度至设定高度;在基底注入液体浆料,升降工作台水平移动,刮刀与基底产生相对运动进行刮涂,进而在基底表面形成连续结晶的薄膜。2CN111992449A说明书1/5页一种刮涂角度可调的高精度刮涂设备及方法技术领域[0001]本发明属于柔性电子技术领域,具体涉及一种刮涂角度可调的高精度刮涂设备及方法。背景技术[0002]这里的陈述仅提供与本发明相关的背景技术,而不必然地构成现有技术。[0003]场效应晶体管是基于自由载流子向半导体中可控注入的有源器件。有机场效应晶体管(OrganicField-EffectTransistor,OFET)以有机半导体材料作为传输层。相对于无机半导体,有机半导体独特的柔性特质使其可与柔性衬底兼容,从而实现柔性、可拉伸电路,在可穿戴设备、医疗监控、电子皮肤等方面有巨大的潜在应用价值。有机半导体层的形态与微观结构对OFET的性能起到非常重要的作用,优化有机半导体层的微观结构能够有效地提高OFET的性能,改善其构筑工艺也能有力促进OFET的商业化应用。[0004]刮涂法常被用于构筑OFET器件,发明人发现,现有刮涂设备存在涂布材料厚度较大、接触电阻较高、微观结构阵列不均匀等不足,制约着OFET器件性能提高和商业化应用。发明内容[000