一种石墨载盘装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112786502A(43)申请公布日2021.05.11(21)申请号202110191280.9(22)申请日2021.02.19(71)申请人厦门乾照光电股份有限公司地址361101福建省厦门市厦门火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号(72)发明人肖遥陈笔宇程伟林志园张剑(51)Int.Cl.H01L21/673(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图7页(54)发明名称一种石墨载盘装置(57)摘要本发明提供了一种石墨载盘装置，包括载盘架及石墨载盘，载盘架包括若干支撑杆及分别用于连接各支撑杆两端的两块固定座，各支撑杆设有若干个连接凹槽，支撑杆的连接凹槽能够分别与其他支撑杆的一个连接凹槽形成一组定位凹槽，各连接凹槽底部设有卡槽，同一组定位凹槽的卡槽形成一组定位卡槽，石墨载盘能够垂直定位于一组定位凹槽，且石墨载盘的边沿凸出部能够定位于同一组定位凹槽的一组定位卡槽，本发明既可避免石墨载盘磕碰缺失，提升了石墨载盘的寿命；还防止石墨载盘不稳，倾斜在载盘架上；且卡槽与连接凹槽的侧壁距离设置，烘烤时气流可正常流通，改善了化学反应物去除不充分的问题，提升后续MOCVD制程时外延片的表面良率。CN112786502ACN112786502A权利要求书1/1页1.一种石墨载盘装置，其特征在于，包括：载盘架及石墨载盘；所述载盘架包括若干支撑杆及分别用于连接各所述支撑杆两端的两块固定座；各所述支撑杆和所述两块定座围成一容置空间，各所述支撑杆朝所述容置空间的一侧设有若干个连接凹槽，所述支撑杆的连接凹槽能够分别与其他所述支撑杆的一个连接凹槽形成一组定位凹槽；各所述连接凹槽的凹槽底部均设有卡槽，所述卡槽与所述连接凹槽的侧壁距离设置，且同一组定位凹槽的所述卡槽形成一组定位卡槽；所述石墨载盘具有晶圆承载部与石墨载盘底部，晶圆承载部边沿比石墨载盘底部边沿多出部分为石墨载盘的边沿凸出部；所述石墨载盘能够垂直定位于所述一组定位凹槽，且所述石墨载盘的边沿凸出部能够定位于同一组定位凹槽的所述一组定位卡槽；所述卡槽的尺寸、形状与所述边沿凸出部相匹配。2.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：卡槽高度(H1)大于边沿凸出部高度(H2)；卡槽宽度(W1)大于边沿凸出部宽度(W2)。3.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：各所述连接凹槽两侧具有支撑杆凸起部，连接凹槽宽度(W3)与支撑杆凸起部宽度(W4)比例范围为1:2至1:1。4.根据权利要求1或3所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：每个所述卡槽的底部均设有若干个透气孔，各所述透气孔贯穿支撑杆底部，各所述透气孔的横截面为圆形或椭圆形或多边形。5.根据权利要求4所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：透气孔宽度(W5)小于或等于卡槽宽度(W1)。6.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：所述容置空间为开放式容置空间，且该开放式容置空间用以容置至少一个所述石墨载盘。7.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：各所述支撑杆互相平行，且每个所述支撑杆的连接凹槽的数量、尺寸一致。8.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：所述一组定位凹槽和所述一组定位卡槽的形状均为弧形或半圆形。9.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：所述两块固定座可拆卸地连接各所述支撑杆两端。10.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：所述两块固定座近似倒梯形体，且所述两固定座设有相对的通孔。11.根据权利要求1所述的一种石墨载盘装置，其特征在于：所述载盘架独立设置，且所述载盘架可移动。2CN112786502A说明书1/5页一种石墨载盘装置技术领域[0001]本发明属于半导体技术领域，更为具体地说，涉及一种石墨载盘装置。背景技术[0002]III‑V族氮化物，由于其直接带隙半导体的特性，具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和迁移率高等优异的物理特性，在电学、光学领域受到广泛的应用。目前III‑V族氮化物外延片普遍采用MOCVD(英文为MetalOrganicChemicalVaporDeposition，金属有机化学气相沉积系统)进行异质外延生长，反应腔中采用石墨载盘作为外延片生长时的载盘。石墨载盘通常选用高纯石墨材料制作，其特性：杂质含量低，高纯高耐腐，物理化学性质稳定，强度高，导电性适中，热导率高，长期在高温下使用不变形。[0003]为了提升材料生长的稳定性和良率，每次外延生长结束后均需将石墨载盘放入高温真空炉内进行高温烘烤，用来去除外延生长时残留在石墨载盘表面的化学反应物。[0004]现有载盘架与石墨载盘不匹配，石墨载盘放置在现有载盘架上，不仅会造成石墨载盘容易磕碰缺失，减少石墨载盘寿