模拟电子技术教学课件全套电子教案整本书课件教学教程教案.ppt

模拟电子技术常用半导体器件1.1.1本征半导体本征激发：两种载流子二、杂质半导体的导电作用1.2.1半导体二极管的结构和分类1.2.2二极管的伏安特性二、二极管的伏安特性反向击穿类型：温度对二极管特性的影响1.2.3二极管的主要参数影响工作频率的原因—1.2.4二极管等效电路UD(on)例[1.2]试求电路中电流I1、I2、IO和输出电压UO的值。例1.3二极管构成“门”电路，设V1、V2均为理想二极管，当输入电压UA、UB为低电压0V和高电压5V的不同组合时，求输出电压UO的值。例1.4画出硅二极管构成的桥式整流电路在ui=15sint(V)作用下输出uO的波形。例1.5ui=2sint(V)，分析二极管的限幅作用。小结iD/mA五、微变等效电路1.2.5特殊二极管一、稳压二极管二、发光二极管LED(LightEmittingDiode)三、光敏二极管二、电流放大原理3.三极管内部载流子的传输过程4.三极管的电流分配关系1.3.2三极管的伏安特性二、输出特性温度对特性曲线的影响三、晶体三极管的主要参数(三)极限参数四、三极管的等效电路1.3.3常用三极管引言1.4.1结型场效应管2.工作原理一、增强型N沟道MOSFET(MentalOxideSemi—FET)2.工作原理2)uDS对iD的影响(uGS>UGS(th))3.转移特性曲线三、P沟道MOSFETN沟道增强型1.4.3场效应管的主要参数4.低频跨导gm概述1.5.1晶闸管的结构和工作原理2.晶闸管的工作原理3.晶闸管的主要参数及型号三、控制极额定参数五、晶闸管型号1.电阻性负载的单相半控桥式整流电路二、参数计算2.触发电路一、单结晶体管的符号和外形二、单结晶体管的伏安特性三、单结晶体管的振荡电路三、单结晶体管的振荡电路四、同步触发电路模块2电压放大器2.1放大器的基本组成及主要性能指标2.1.2电压电流表示方法2.1.3放大电路的性能指标三、输出电阻ro如何确定电路的输出电阻ro？方法二：测量。四、通频带2.2放大电路的组成及工作原理Rb共射放大电路单电源供电共发射极放大电路的实用电路2.3放大电路的分析方法（1）估算IB（UBE0.7V)（2）估算UCE、IC例：用估算法计算静态工作点。(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对应于输入输出特性曲线上的一个点称为静态工作点。动态是指放大电路在接入交流信号后，电路中的各处电流、电压的变化情况，动态分析是为了了解放大信号的传输过程和波形变化。ωt交流通路：（ui单独作用下的电路）。由于电容C1、C2足够大，容抗近似为零（相当于短路），直流电源UCC去掉（短接）。用微变等效法分析放大电路（1）三极管的微变等效电路（2）放大电路的微变等效电路+①电压放大倍数②输入电阻③输出电阻（1）用估算法求出基极电流IBQ（如40μA）。（2）根据IBQ在输出特性曲线中找到对应的曲线。（3）作直流负载线。根据集电极电流IC与集、射间电压UCE的关系式UCE=UCC－ICRC可画出一条直线，该直线在纵轴上的截距为UCC/RC，在横轴上的截距为UCC，其斜率为－1/RC，只与集电极负载电阻RC有关，称为直流负载线。（4）求静态工作点Q，并确定UCEQ、ICQ的值。晶体管的ICQ和UCEQ既要满足IB=40μA的输出特性曲线，又要满足直流负载线，因而晶体管必然工作在它们的交点Q，该点就是静态工作点。由静态工作点Q便可在坐标上查得静态值ICQ和UCEQ。IB=40μA的输出特性曲线图解步骤：（1）根据静态分析方法，求出静态工作点Q。（2）根据ui在输入特性上求uBE和iB。（3）作交流负载线。（4）由输出特性曲线和交流负载线求iC和uCE。从图解分析过程，可得出如下几个重要结论：（1）放大器中的各个量uBE，iB，iC和uCE都由直流分量和交流分量两部分组成。（2）由于C2的隔直作用，uCE中的直流分量UCEQ被隔开，放大器的输出电压uo等于uCE中的交流分量uce，且与输入电压ui反相。（3）放大器的电压放大倍数可由uo与ui的幅值之比或有效值之比求出。负载电阻RL越小，交流负载电阻RL'也越小，交流负载线就越陡，使Uom减小，电压放大倍数下降。（4）静态工作点Q设置得不合适，会对放大电路的性能造成影响。若Q点偏高，当ib按正弦规律变化时，Q'进入饱和区，造成ic和uce的波形与ib（或ui）的波形不一致，输出电压uo（即uce）的负半周出现平顶畸变，称为饱和失真；若Q点偏低，则Q"进入截止区，输出电压uo的正半周出现平顶畸变，称为截止失真。饱和失真和截止失真统称为非线性失真。非线性失真2.4放大器的三种基本组态温度对静态工作点的影响温度对UBE的影响温度对值及ICEO的影响总之：条件：I2>>IB，则直流通道及静态工作点估算电容短路,