场发射扫描电镜技术标书.doc

附件：场发射扫描电镜技术标书一、设备用途扫描电镜是一种多功能仪器，广泛地用于材料微观组织观测、微区成分分析、材料断口分析、材料晶粒度分析、夹杂物分析及织构表征等，可对导电及不导电固体材料进行表面形貌观测及成分分析。场发射电镜可以实现更高辨别率形貌观测，可实现对超细晶材料尤其是纳米材料表征。基于有关附件，也可以对材料在温度及应力作用下动态变化进行原位观测。仪器包括电子光学系统、真空系统、样品室和样品台、探测器及成像系统、图像处理系统、应用软件及数据处理软件、X射线能谱分析仪（EDS）、背散射电子衍射分析仪（EBSD）、原位加热台。二、技术参数1．运行环境1.1工作温度：可以在15~25环境温度工作1.2相对湿度：湿度不不小于60%RH时正常工作1.3工作电压：在220V(±10%)、50Hz电压下，仪器可持续使用2．电子光学系统2.1电子枪：Schottky场发射电子枪2.2加速电压：0.2kV~30KV，步长10V持续可调2.3电子束流：束流持续可调，稳定性优于0.2%/h2.4放大倍数：15倍~100万倍2.5工作距离：5~50mm，粗调、精调两种模式2.6物镜：无漏磁物镜，能有效观测磁性样品2.7物镜光阑：具有自清洁功能3．真空系统3.1机械泵、分子泵、离子泵三级抽真空系统*3.2真空模式：可以满足基本成像、分析高真空模式，同步满足原位加热台等附件工作需要模式3.3真空度：电子枪真空度优于10-7Pa、样品室高真空优于10-4Pa3.4抽真空时间：不高于5min4．检测器及成像系统4.1成像模式：背散射成像、二次电子成像、任意比例混合模式成像4.2检测器：电子探测器不少于3个，镜筒内二次电子探测器1个，高敏捷度低电压固体背散射探测器1个4.3相机：样品室红外高清CCD相机4.4检测器辨别率*4.4.1二次电子辨别率：30kV时不不小于1.0nm或20kV时不不小于1.3nm，1kV时优于3.0nm*4.4.2背散射电子辨别率：30kV时不不小于2.5nm，1kV时优于3.0nm5．样品室和样品台5.1样品台：自动马达驱动5轴以上(X、Y、Z、T、R)*5.2移动范围：X≥100mm、Y≥100mm、Z≥50mm、T=-5~70°、R=360°持续旋转5.3移动精度：优于2μm5.4样品室尺寸：内径不不不小于300mm，高度不不不小于200mm，可容纳样品直径不不不小于200mm5.5样品室有EDS、EBSD接口*5.6可加配加热台和原位拉伸台，加热台运行时应保证成像系统和EBSD可以同步运行6．图像处理系统6.1存储辨别率：不低于像素6.2活动窗口：多种活动窗口，可同步显示背散射及二次电子图像6.3图像格式：TIFF、BMP、JPEG等多种图像格式6.4图像帧数：不不不小于256帧，可降噪处理6.5可以进行数字动画记录6.6具有图像注释、测量等图像处理功能7．控制和数据处理系统7.1基于以太网架构数据传播系统7.2软件平台合用于windows操作系统7.3显示屏：24”LED显示屏8．X射线能谱分析仪（EDS）8.1能量探测器：电制冷硅漂移探测器（SDD）*8.2有效采集面积：SDD晶体有效活区面积不不不小于30mm2，窗口有效面积不不不小于20mm2，可实现低电压或者小束流条件下高质量、高效率分析*8.3探测器定位：探测器由马达控制精确定位，软件可控，可以实时监测和控制采集计数率，保证不一样样品数据反复性和测试条件反复性目*8.4能量辨别率：MnKα优于127eV，CKa优于50eV，FKa优于60eV8.5元素分析范围：至少为Be4~U92*8.6峰背比：优于0:18.7谱峰稳定性：辨别率变化在1eV以内，48小时内峰位漂移不不小于1.5eV8.8计数率：输出最大计数率不小于800,000CPS，可处理最大计数率不小于1,500,000CPS8.9具有轻元素定量分析和修正功能，可对Be、B、C、N等进行浓度定量检测以及修正8.10采集界面：采用32位和64位双系统，采集界面以便简朴，智能化设定参数，兼容原有EBSD数据，能实现能谱采集与定量分析、线扫描及全息面扫描，包括常规面分布、定量面分布和迅速面分布、迅速智能面分布等*8.11定性分析：具有点、线、面扫描分析功能，可自动和手动进行全谱元素谱峰识别，并具有检查重叠峰剥离精确性以及合峰效应有效措施，可以分析夹杂和偏析等微量元素和微量相8.12定量分析：采用最先进修正技术和虚拟标样数据库，系统可以自动有效修正元素之间互相吸取，可对抛光表面或粗糙表面进行点、线和面分析，谱峰稳定，数据重现性好，不需要多元素校准峰位。具有以便虚拟标样分析措施，且可以得到高级非归一化定量成果，各元素定量误差没有互相干扰，数据格式可以和电子探针等高级分析方式数据直接对应；*8.13智能软件系统：中