有机半导体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102482291A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102482291A(43)申请公布日2012.05.30(21)申请号201080039449.9(51)Int.Cl.(22)申请日2010.08.05C07D495/04(2006.01)C07D495/14(2006.01)(30)优先权数据C07D495/22(2006.01)0913628.42009.08.05GBH01L51/00(2006.01)(85)PCT申请进入国家阶段日2012.03.06(86)PCT申请的申请数据PCT/GB2010/0014852010.08.05(87)PCT申请的公布数据WO2012/017184EN2012.02.09(71)申请人剑桥显示技术有限公司地址英国剑桥(72)发明人S·祖贝里T·祖贝里(74)专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038代理人杨勇权利要求书权利要求书3页3页说明书说明书1111页页附图附图33页(54)发明名称有机半导体(57)摘要半导体化合物，该化合物包含以下结构：(I)其中R1至R4独立地包含但不限于任选取代的具有2至20个(例如2至12个)碳原子的直链、支化或环状烷基链、烷氧基、氨基、酰氨基、甲硅烷基、烷基、烯基、芳基或杂芳基；其中X1和X2独立地包含S、O、NR5或SiR6R7，其中R5至R7独立地包含C1至C5的支化、直链或环状烷基链；并且其中Ar1包含杂环，并且其中n是1至4的整数。CN102489ACN102482291A权利要求书1/3页1.半导体化合物，该化合物包含以下结构：其中R1至R4独立地包含但不限于任选取代的具有2至20个碳原子的直链、支化或环状烷基链、烷氧基、氨基、酰氨基、甲硅烷基、烷基、烯基、芳基或杂芳基；1256757其中X和X独立地包含S、O、NR或SiRR，其中R至R独立地包含C1至C5的支化、直链或环状烷基链；并且其中Ar1包含杂芳环，该杂芳环优选地包含选自S、O、NR5或SiR6R7的至少一个杂原子，并且其中n是1至4的整数。2.根据权利要求1的半导体化合物，其包含以下结构：其中Ar2为同素芳环或杂芳环。3.根据权利要求2的半导体化合物，其中Ar2是杂芳环，它优选包含选自S、O、NR5或SiR6R7的至少一个杂原子。4.根据以上权利要求任意一项的半导体化合物，其中该化合物包含串联地稠合于Ar1和/或存在时的Ar2上的一个或多个其它芳基。5.根据权利要求4的半导体化合物，其中所述其它芳基中的一个、一些或全部包含优选地含有选自S、O、NR5或SiR6R7的至少一个杂原子的杂环基团。6.根据以上权利要求任意一项的半导体化合物，其中该化合物的末端芳基基团之一或两者被一个或多个取代基T取代，该基团的至少之一包含任选取代的具有1至20个(例如1至12个)碳原子的直链、支化或环状烷基链、烷氧基、氨基、酰氨基、甲硅烷基、烷基、烯基、芳基或杂芳基；其余基团独立地包含氢或任选取代的具有1至20个(例如1至12个)碳原子的直链、支化或环状烷基链、烷氧基、氨基、氨基、酰氨基、甲硅烷基、烷基或烯基。7.根据权利要求6的半导体化合物，其中该化合物包含选自以下的结构：2CN102482291A权利要求书2/3页其中X3至X6可以独立地包含S、O、NR5或SiR6R7，并且在X3至X6的任何一个是末端芳36基的一部分的情况下，X至X，如果存在，优选地包含C2H2。8.包含以下结构的半导体化合物：其中R1至R4独立地包含但不限于任选取代的具有1至20个(例如1至12个)碳原子的直链、支化或环状烷基链、烷氧基、氨基、酰氨基、甲硅烷基、烷基、烯基、芳基或杂芳基；1256757其中X和X独立地包含S、O、NR或SiRR，其中R至R独立地包含C1至C5的支化、直链或环状烷基链；其中T1和T2独立地包含任选取代的具有1至20个(例如1至12个)碳原子的直链、支化或环状烷基链、烷氧基、氨基、酰氨基、甲硅烷基、烷基、烯基、芳基或杂芳基；并且其中任选芳基Ar1至Ar6的一个或多个独立地包含杂环，该杂环包含选自S、O、NR5或SiR6R7的至少一个杂原子。9.根据权利要求8的半导体化合物，其中末端芳基之一或两者包含同素环。10.以上权利要求任意一项中所述的半导体化合物，其中R1至R4相同或不同，并独立地包含任选取代的具有2至12个碳原子的直链、支化或环状烷基链。11.权利要求10中所述的半导体化合物，其中R1至R4相同或不同，并独立地包含任选取代的具有2至6个碳原子的直链、支化或环状烷基链。12.包含半导电部分的电子器件，该半导电部分包含根据以上权利要求任意一项的半导体化合物。13.用于施加于基板表面以在基板上形成半导电部分的溶液，该溶液包