一种方形晶粒的凸块制备方法及圆形晶圆片结构.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031193A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202111241022.3(22)申请日2021.10.25(71)申请人升新高科技（南京）有限公司地址210000江苏省南京市江苏自贸区南京片区浦滨路320号科创总部大厦C座906室(72)发明人申中国杨怀科曹春政(74)专利代理机构北京国昊天诚知识产权代理有限公司11315专利代理师许振新(51)Int.Cl.H01L21/683(2006.01)H01L23/488(2006.01)H01L21/60(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图6页(54)发明名称一种方形晶粒的凸块制备方法及圆形晶圆片结构(57)摘要本申请公开了一种方形晶粒的凸块制备方法，包括：将方形晶圆片切割为N个方形晶粒；将所述N个方形晶粒和S个假晶粒排布于圆形载具，形成圆形晶粒阵列，所述圆形晶粒阵列间存在横向和纵向方向的切割路径，其中，N为正整数，S为整数；将排布于所述圆形载具的所述圆形晶粒阵列进行塑封固定，去除所述圆形载具，得到塑封圆形晶粒阵列结构；使用圆形晶圆的凸块加工设备，对所述塑封圆形晶粒阵列上表面制备凸块。因此，本申请从现有技术的不足和工艺瓶颈出发，解决了小方形晶圆片或者非标准晶圆的bump加工难点。CN116031193ACN116031193A权利要求书1/1页1.一种方形晶粒的凸块制备方法，其特征在于，包括：将方形晶圆片切割为N个方形晶粒；将所述N个方形晶粒和S个假晶粒排布于圆形载具，形成圆形晶粒阵列，所述圆形晶粒阵列间存在横向和纵向的切割路径，其中，N为正整数，S为整数；将排布于所述圆形载具的所述圆形晶粒阵列进行塑封固定，去除所述圆形载具，得到塑封圆形晶粒阵列结构；使用圆形晶圆的凸块加工设备，对所述塑封圆形晶粒阵列上表面制备凸块。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述圆形晶粒阵列为中心对称的排布结构。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述圆形晶粒阵列包括L个尺寸为A的晶粒和M个尺寸为B的晶粒，其中，A与B数值不同，L和M均为正整数。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述圆形晶粒阵列两两晶粒的间隙宽度与切割所述N个方形晶粒的切割刀的厚度相同。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述塑封圆形晶粒阵列下表面的塑封料研磨掉，得到下表面裸露的圆形晶粒阵列。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述下表面裸露的圆形晶粒阵列进行划片，清除N个方形晶粒之间的塑封料，获得N个长出凸块的方形晶粒。7.一种圆形晶圆片结构，其特征在于，所述圆形晶圆片结构上排布晶粒阵列，所述晶粒阵列包括N个预先切割为单体的方形晶粒和S个预先切割为单体的假晶粒，所述晶粒阵列间存在横向和纵向的切割路径，所述晶粒阵列经由塑封材料塑封固定，所述晶粒阵列的晶粒上均制备有凸块，所述晶粒阵列为中心对称的排布结构，所述方形晶粒是由对方形晶圆片切割获得，所述晶粒阵列中的晶粒厚度相同。8.根据权利要求7所述的圆形晶圆片结构，其特征在于，所述晶粒阵列包括L个尺寸为A的晶粒和M个尺寸为B的晶粒，其中，A与B数值不同，L和M均为正整数，A的范围0.50mm～1.5mm，B的范围0.50mm～1.5mm。9.根据权利要求1所述的圆形晶圆片结构，其特征在于，所述圆形晶圆片尺寸为下列中的一种：4英寸、6英寸、8英寸、12英寸。10.根据权利要求1所述的圆形晶圆片结构，其特征在于，所述形晶粒阵列两两晶粒的间隙宽度与切割所述方形晶粒的切割刀的厚度相同。2CN116031193A说明书1/6页一种方形晶粒的凸块制备方法及圆形晶圆片结构技术领域[0001]本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种方形晶粒的凸块制备方法及圆形晶圆片结构。背景技术[0002]随着芯片开发的速度越来越快、迭代周期变得越来越短。芯片从设计，功能验证到工程实现的方式变得更加多样化和复杂化，为了使芯片技术的实现顺应快速增长的市场需求，必须适应各种复杂应用和生产制造情景。[0003]目前芯片的凸块制备工艺流程往往是通过在晶圆(英文：wafer)的制备凸块(bump)的工艺技术，在晶圆上的顶层金属(英文：TopMetal)焊盘上制备出bump，然后通过倒装芯片(英文：Flipchip)封装工艺实现芯片和基板bump焊盘的电性互连，采用Flipchip技术可以减少芯片与基板之间的工作阻抗和信号传输路径，是目前主流的封装技术之一。[0004]图1示出了现有技术在晶圆上制备bump，并进一步进行晶圆切割(英文：Sawing)，从而得到晶粒(英文：die)。具体地，现有技术采用晶圆整片bump作业方式，通过溅镀(英文：Sputt