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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031645A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202111253894.1(22)申请日2021.10.27(71)申请人华为技术有限公司地址518129广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼(72)发明人魏晓东胡培峰黄志国米孟瑶(74)专利代理机构北京龙双利达知识产权代理有限公司11329专利代理师张卿毛威(51)Int.Cl.H01Q1/50(2006.01)H01P5/12(2006.01)H01P1/22(2006.01)H01Q3/30(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图7页(54)发明名称馈电电路,天线设备,通信设备及通信系统(57)摘要本申请是实施例提供了一种电学领域,尤其涉及一种馈电电路,天线设备,通信设备及通信系统,在该馈电电路中,通过在并联的多条支路中设置移相单元,可以抵消支路中的半导体模块中的半导体器件引起的PIM,从而改善馈电电路的PIM指标。并且,在FDD模式下,无需采用收发隔离的架构,降低了天线设备内的布局难度和成本。此外,在该馈电电路中并不需要通过软件算法对PIM进行信号补偿,降低了系统的算法复杂度。CN116031645ACN116031645A权利要求书1/2页1.一种馈电电路,其特征在于,包括:功率分配器和N条支路,N为大于或等于2的整数;其中,所述功率分配器包括一个输入端口和M个输出端口,M为大于或等于N的整数;所述N条支路分别与所述功率分配器的M个输出端口中的N个输出端口相连;所述N条支路中的每条支路设置有半导体模块;所述N条支路包括N‑1条第一支路和1条第二支路,所述N‑1条第一支路中的每条第一支路设置有第一移相单元,所述第一移相单元设置于所述半导体模块和所述功率分配器之间,N‑1个所述第一移相单元用于使所述N条支路之间产生固定相位差。2.根据权利要求1所述的馈电电路,其特征在于,所述第二支路作为所述N条支路中相位归零的基准支路。3.根据权利要求1或2所述的馈电电路,其特征在于,所述第二支路设置有第二移相单元。4.根据权利要求3所述的馈电电路,其特征在于,所述N‑1条第一支路中的第i条第一支路中设置的第一移相单元的相位为i×Φ/N+α,其中,i为大于或等于1且小于或等于N‑1的整数,所述Φ大于90°且小于270°,所述α为所述第二移相单元的相位,α大于或等于0。5.根据权利要求1或2所述的馈电电路,其特征在于,所述N‑1条第一支路中的第i条第一支路中设置的第一移相单元的相位为i×Φ/N,其中,i为大于或等于1且小于或等于N‑1的整数,Φ大于90°且小于270°。6.根据权利要求4或5所述的馈电电路,其特征在于,所述Φ为180°。7.根据权利要求1至6中任一项所述的馈电电路,其特征在于,所述功率分配器为等幅功率分配器。8.根据权利要求1至7中任一项所述的馈电电路,其特征在于,所述馈电电路还包括功率合成器,所述功率合成器包括P个输入端口和一个输出端口,P为大于等于N的整数;所述N条支路还分别与所述功率合成器的P个输入端口中的N个输入端口相连;所述N支路中的每条支路还设置有第三移相单元,所述第三移相单元设置于所述半导体模块和所述功率合成器之间,N个所述第三移相单元用于使所述N条支路传输的电信号在所述功率合成器的输入端口处的相位相同。9.根据权利要求8所述的馈电电路,其特征在于,所述N‑1条第一支路中设置的第一移相单元的相位与对应的第二移相单元的相位之和均为θ,θ大于或等于0°且小于或等于360°。10.根据权利要求1至9中任一项所述的馈电电路,其特征在于,所述半导体模块为数字移相器。11.根据权利要求10所述的馈电电路,其特征在于,所述数字移相器包括二极管或微机电系统。12.根据权利要求8或9所述的馈电电路,其特征在于,所述第三移相单元为延迟线或希夫曼移相器。13.根据权利要求1至12中任一项所述的馈电电路,其特征在于,所述第一移相单元为延迟线或希夫曼移相器。2CN116031645A权利要求书2/2页14.一种天线设备,其特征在于,包括如上述权利要求1至13中任一项所述的馈电电路。15.根据权利要求14所述的天线设备,其特征在于,所述天线设备的辐射体与所述馈电电路中的功率分配器的输入端口相连。16.一种通信设备,其特征在于,包括如上述权利要求14或15所述的天线设备。17.一种通信系统,其特征在于,包括如上述权利要求16所述的通信设备。3CN116031645A说明书1/11页馈电电路,天线设备,通信设备及通信系统技术领域[0001]本申请涉及电学领域,尤其涉及一种馈电电路,天线设备,通信设备及通信系统。背景技术[0002]无源互调(passiveintermodulation,PIM)是无