近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116027468A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202210542526.7B32B9/00(2006.01)(22)申请日2022.05.18B32B9/04(2006.01)(71)申请人黑龙江大学地址150000黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号(72)发明人高扬王金成张景煜冯恒利张作鑫房冬超刘畅(74)专利代理机构哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司23213专利代理师岳昕(51)Int.Cl.G02B5/00(2006.01)G02B1/00(2006.01)B32B15/00(2006.01)B32B3/08(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器(57)摘要本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器属于纳米超材料吸收器技术领域；该超材料吸收器为多个相同单元组成的阵列结构，每个单元由基底层(1)、介质层(2)和超材料层(3)组成；所述基底层(1)和介质层(2)均为长方体，所述超材料层(3)为半圆环体；基底层(1)上方紧贴有介质层(2)，介质层(2)上方设置有超材料层(3)，所述超材料层(3)为半圆环体开口向下设置在介质层(2)中间；本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，结构简单、成本低廉、易于加工，只需基底层、介质层和超材料层三个实体结构，即可在近红外波段实现很好的吸收效果。CN116027468ACN116027468A权利要求书1/1页1.近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，为多个相同单元组成的阵列结构，其特征在于，每个单元由基底层(1)、介质层(2)和超材料层(3)组成；所述基底层(1)和介质层(2)均为长方体，所述超材料层(3)为半圆环体；基底层(1)上方紧贴有介质层(2)，介质层(2)上方设置有超材料层(3)，所述超材料层(3)为半圆环体开口向下设置在介质层(2)中间。2.根据权利要求1所述的近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，其特征在于，所述基底层(1)的结构参数为：x和y方向的周期w＝520nm，厚度h1＝80nm；所述介质层(2)的结构参数为：x和y方向的周期w＝520nm，厚度h2＝20nm；所述超材料层(3)的结构参数为：宽度d＝100nm，内圆半径r1＝50nm，外圆半径r2＝100nm。3.根据权利要求1或2所述的近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，其特征在于，所述基底层(1)为银材料，所述介质层(2)为氧化铝材料，所述超材料层(3)为银材料。2CN116027468A说明书1/3页近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器技术领域[0001]本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器属于纳米超材料吸收器技术领域。背景技术[0002]超材料是人工设计的复合材料，它能够呈现出天然材料所不具备的超常物理性质。通过调整超材料几何结构及其尺寸，可以获得所需的介电常数或磁导率，因此超材料在光捕获和操纵领域有多种应用。[0003]超材料吸收器是超材料在光学领域的一项重要应用。超材料吸收器通常为三层结构设计，即金属‑介质‑金属结构，其中，顶层为电子束光刻实现的周期排列的金属纳米结构，中间层和底层分别为连续的介质层和金属层。[0004]超材料吸收器自提出以来，从微波到深紫外波段都有大量报道，在军事隐身涂层，光伏材料，探测器等方面展现了巨大应用前景。目前，超材料吸收器向着结构更简单、更易于制作、且具有更好吸收效果的方向发展。发明内容[0005]为了实现上述目的，本发明设计了一种近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，结构简单、成本低廉、易于加工，只需基底层、介质层和超材料层三个实体结构，即可在近红外波段实现很好的吸收效果。[0006]本发明的目的是这样实现的：[0007]近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，为多个相同单元组成的阵列结构，每个单元由基底层、介质层和超材料层组成；所述基底层和介质层均为长方体，所述超材料层为半圆环体；基底层上方紧贴有介质层，介质层上方设置有超材料层，所述超材料层为半圆环体开口向下设置在介质层中间。[0008]上述近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，[0009]所述基底层1的结构参数为：x和y方向的周期w＝520nm，厚度h1＝80nm；[0010]所述介质层2的结构参数为：x和y方向的周期w＝520nm，厚度h2＝20nm；[0011]所述超材料层3的结构参数为：宽度d＝100nm，内圆半径r1＝50nm，外圆半径r2＝100nm。[0012]以上近红外波段半圆环型银纳米超材料吸收器，所述基底层为银材料，所述介质层为氧化铝材料，所述超材料层为银材料。[0013]有益效果：[0014]第一、本发明近红外波段半圆环型银纳米超材料吸