热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116031218A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202211271822.4(22)申请日2022.10.18(30)优先权数据63/271,7072021.10.25US17/687,5902022.03.04US(71)申请人三星电子株式会社地址韩国京畿道水原市(72)发明人雷德万·西迪基(74)专利代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司11286专利代理师黄晓燕史泉(51)Int.Cl.H01L23/367(2006.01)B82B1/00(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图8页(54)发明名称热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件(57)摘要公开热涂层结构、热辐射结构和纳米结构器件。所述纳米结构器件包括基底和形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触的多个纳米结构。所述多个纳米结构基本上均匀地分布在基底的预定区域上，大量的纳米结构具有大于或等于1的标称纵横比，并且所述多个纳米结构暴露于具有2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射。在一个实施例中，所述多个纳米结构具有小于或等于1.75的折射率，并且所述多个纳米结构对于具有在2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于80％的透射率。在另一个实施例中，所述多个纳米结构具有大于或等于1.75的折射率，并且所述多个纳米结构器件对于波长在8000nm与13000nm之间的电磁辐射具有大于45％的发射率。CN116031218ACN116031218A权利要求书1/2页1.一种热涂层结构，包括：基底，包括顶表面和底表面；以及多个纳米结构，形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触，所述多个纳米结构具有小于或等于1.75的折射率，所述多个纳米结构均匀地分布在基底的至少顶表面的预定区域上，并且所述多个纳米结构中的至少一部分还具有大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比。2.根据权利要求1所述的热涂层结构，其中，所述多个纳米结构包括聚二甲基硅氧烷，并且其中，所述多个纳米结构中的至少一部分具有4与6之间的标称纵横比。3.根据权利要求2所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构对于包括8000nm至12000nm的波长范围的电磁辐射具有大于80％的透射率。4.根据权利要求1所述的热涂层结构，其中，所述多个纳米结构中的至少一部分具有5的标称纵横比。5.根据权利要求4所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构对于包括10000nm的波长的电磁辐射具有大于90％的透射率。6.根据权利要求4所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构对于包括2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于80％的透射率。7.根据权利要求1所述的热涂层结构，其中，所述多个纳米结构包括聚二甲基硅氧烷。8.根据权利要求7所述的热涂层结构，其中，所述热涂层结构是非接触式温度感测装置的一部分。9.一种热辐射结构，包括：基底，包括顶表面和底表面；以及多个纳米结构，形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触，所述多个纳米结构具有大于1.75的折射率，所述多个纳米结构均匀地分布在基底的至少顶表面的第一预定区域上，并且所述多个纳米结构中的至少一部分还具有大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比。10.根据权利要求9所述的热辐射结构，其中，所述多个纳米结构还均匀地分布在基底的底表面的第二预定区域上。11.根据权利要求10所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构对于包括2000nm与14000nm之间的波长的电磁辐射具有大于60％的发射率。12.根据权利要求9所述的热辐射结构，其中，所述多个纳米结构中的至少一部分具有等于或大于2的标称纵横比。13.根据权利要求12所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构对于包括10000nm的波长的电磁辐射具有大于60％的发射率。14.根据权利要求12所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构对于包括9500nm与13000nm之间的波长的电磁辐射具有大于45％的发射率。15.根据权利要求9所述的热辐射结构，其中，所述多个纳米结构包括氮化硅。16.根据权利要求15所述的热辐射结构，其中，所述热辐射结构是集成电路的一部分。17.一种纳米结构器件，包括：2CN116031218A权利要求书2/2页基底，包括顶表面和底表面；以及多个纳米结构，形成在基底的至少顶表面上并与基底的至少顶表面接触，所述多个纳米结构均匀地分布在基底的顶表面的预定区域上，所述多个纳米结构中的至少一部分具有大于或等于1的结构高度与结构宽度的标称纵横比，并且所述多个纳米结构暴露于电磁辐射，所述电磁辐射包括2000nm与14000nm之间的波长。18.根据权利要求17所述的纳米结构器件，其中，所述多个纳米结构具有小于