磁阻抗传感器元件.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN116034648A(43)申请公布日2023.04.28(21)申请号202180055984.1(74)专利代理机构北京汇思诚业知识产权代理(22)申请日2021.09.10有限公司11444专利代理师张黎王刚(30)优先权数据2020-1656922020.09.30JP(51)Int.Cl.H10N50/10(2023.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.02.08(86)PCT国际申请的申请数据PCT/JP2021/0333442021.09.10(87)PCT国际申请的公布数据WO2022/070842JA2022.04.07(71)申请人爱知制钢株式会社地址日本国爱知县(72)发明人山本道治山下隆介板渊史刊立松峻一权利要求书1页说明书11页附图13页(54)发明名称磁阻抗传感器元件(57)摘要磁阻抗传感器元件(1)具有电磁特性根据从外部作用的磁场而变化的磁感应体(2)以及卷绕于磁感应体(2)的检测线圈(3)，构成为：通过在磁感应体(2)中通脉冲电流或高频电流，从而从检测线圈(3)输出与作用于磁感应体(2)的磁场的强度对应的电压。磁感应体(2)具有第一磁感应部(21)和第二磁感应部(22)，脉冲电流或高频电流在第一磁感应部与第二磁感应部中彼此反向流动。CN116034648ACN116034648A权利要求书1/1页1.一种磁阻抗传感器元件，具有电磁特性根据从外部作用的磁场而变化的磁感应体以及卷绕于该磁感应体的检测线圈，所述磁阻抗传感器元件构成为：通过在上述磁感应体中通脉冲电流或高频电流，从而从上述检测线圈输出与作用于上述磁感应体的磁场的强度对应的电压，上述磁感应体具有第一磁感应部和第二磁感应部，上述脉冲电流或高频电流在上述第一磁感应部与上述第二磁感应部中彼此反向流动。2.根据权利要求1所述的磁阻抗传感器元件，其中，上述检测线圈具有卷绕于上述第一磁感应部的第一线圈部以及卷绕于上述第二磁感应部的第二线圈部，上述第一线圈部与上述第二线圈部彼此电气串联连接，且卷绕方向相同。3.根据权利要求2所述的磁阻抗传感器元件，其中，上述第一磁感应部与上述第二磁感应部一体形成为一根磁敏丝。4.根据权利要求3所述的磁阻抗传感器元件，其中，所述磁阻抗传感器元件具有搭载有上述磁感应体以及上述检测线圈的基板，在该基板形成有接地的接地层，上述磁感应体的两端部与上述接地层电连接。5.根据权利要求1～3中任一项所述的磁阻抗传感器元件，其中，所述磁阻抗传感器元件具有从上述第一磁感应部的一端引出的第一端子以及从上述第二磁感应部的一端引出的第二端子，上述第一端子与上述第二端子彼此电独立。6.一种磁阻抗传感器元件，具有：磁感应体，其电磁特性根据从外部作用的磁场而变化；平行导体，其与该磁感应体平行配置；以及检测线圈，其卷绕于上述磁感应体以及平行导体，所述磁阻抗传感器元件构成为：通过在上述磁感应体中通脉冲电流或高频电流，从而从上述检测线圈输出与作用于上述磁感应体的磁场的强度对应的电压，在上述平行导体中，与在上述磁感应体中流动的上述脉冲电流或高频电流反向地流动脉冲电流或高频电流。7.根据权利要求6所述的磁阻抗传感器元件，其中，上述平行导体与上述磁感应体串联连接。8.根据权利要求6或7所述的磁阻抗传感器元件，其中，上述平行导体相对于上述磁感应体相邻配置在与该磁感应体的轴向正交的一个方向上。2CN116034648A说明书1/11页磁阻抗传感器元件技术领域[0001]本发明涉及磁阻抗传感器元件。背景技术[0002]作为高灵敏度、高响应性、低功耗的磁传感器元件，例如如专利文献1所记载，开发了各种磁阻抗传感器元件(以下也酌情称为MI传感器元件)。[0003]该MI传感器元件具有磁感应体和卷绕于其周围的检测线圈。而且，在外部磁场作用于磁感应体的状态下在磁感应体中流过脉冲电流时，基于在检测线圈产生的电压，能够检测外部磁场。也就是，从检测线圈输出与所作用的磁场的大小相应的电压，基于该输出，能够测量磁感应方向上的磁场的大小。因此，理想的是，在外部磁场未作用于磁感应体的状态下，不在检测线圈输出电压。现有技术文献专利文献[0004]专利文献1：日本特开2012‑78198号公报发明内容(发明要解决的课题)[0005]然而，实际上，在磁场未作用于磁感应体的状态下，有时也会从检测线圈输出电压。将该现象称为原点振动。而且，原点振动被认为是利用MI传感器元件的磁阻抗传感器(以下酌情称为“MI传感器”)的输出的偏移(offset)的主因。因此，通过抑制MI传感器元件的原点振动，能够提高MI传感器的性能。[0006]本发明鉴于该课题而提出，旨在提供能抑制原点振动的磁阻抗传感器元件。(用于解决课题的技术方案)[000