一种聚4-甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112694685A(43)申请公布日2021.04.23(21)申请号202011641055.2C08K3/38(2006.01)(22)申请日2020.12.31C08J5/18(2006.01)(71)申请人苏州市新广益电子有限公司地址215156江苏省苏州市吴中区胥口镇曹丰路289号1幢(72)发明人夏超华(74)专利代理机构慈溪夏远创科知识产权代理事务所(普通合伙)33286代理人陈伯祥(51)Int.Cl.C08L23/20(2006.01)C08L79/04(2006.01)C08K9/06(2006.01)C08K3/04(2006.01)C08K7/00(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种聚4-甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法(57)摘要本发明公开了一种聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜，其特征在于，是由如下重量份计的各原料制成：聚‑4‑甲基‑1‑戊烯40‑55份、端氨基超支化聚苯并咪唑10‑15份、表面改性石墨烯纳米片/陶瓷纳米片复合物3‑6份、烯丙基缩水甘油醚1‑3份、N‑[4‑氰基‑3‑(三氟甲基)苯基]甲基环氧丙烯酰胺0.5‑1.5份。本发明还公开了所述聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法。本发明公开的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜介电损耗小、介电常数大、热稳定性佳，击穿场强高，柔韧性好、质量小、易于加工。CN112694685ACN112694685A权利要求书1/1页1.一种聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜，其特征在于，是由如下重量份计的各原料制成：聚‑4‑甲基‑1‑戊烯40‑55份、端氨基超支化聚苯并咪唑10‑15份、表面改性石墨烯纳米片/陶瓷纳米片复合物3‑6份、烯丙基缩水甘油醚1‑3份、N‑[4‑氰基‑3‑(三氟甲基)苯基]甲基环氧丙烯酰胺0.5‑1.5份。2.根据权利要求1所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜，其特征在于，所述聚‑4‑甲基‑1‑戊烯为MX004。3.根据权利要求1所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜，其特征在于，所述表面改性石墨烯纳米片/陶瓷纳米片复合物的制备方法，包括如下步骤：将石墨烯纳米片、陶瓷纳米片分散于有机溶剂中，再向其中加入硅烷偶联剂KH560，在60‑80℃下搅拌反应4‑6小时，后旋蒸除去溶剂，得到表面改性石墨烯纳米片/陶瓷纳米片复合物。4.根据权利要求3所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜，其特征在于，所述石墨烯纳米片、陶瓷纳米片、有机溶剂、硅烷偶联剂KH560的质量比为1:(3‑5):(20‑30):(0.2‑0.4)。5.根据权利要求3所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜，其特征在于，所述有机溶剂为乙腈、N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、二甲亚砜中的任意一种。6.根据权利要求3所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜，其特征在于，所述陶瓷纳米片为氮化硼纳米片；所述陶瓷纳米片的厚度为10原子层，径向尺寸为12μm。7.一种根据权利要求1‑6任一项所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将各原料按照重量份混合均匀后，得到混合料，然后将混合料加入高沸点溶剂中，搅拌均匀后，将其倒入模具中，再将模具置于鼓风干燥箱中85‑95℃下干燥至恒重；接着将其在常温、惰性气体气氛下，通过电子束辐射设备进行辐射接枝交联，得到聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜。8.根据权利要求7所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合料、高沸点溶剂的质量比为(2‑5):100。9.根据权利要求7所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气、氦气、氖气、氩气中的任意一种。10.根据权利要求7所述的聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述辐射接枝交联的辐射能量为3MeV‑12MeV、辐射剂量为50KGy‑220KGy。2CN112694685A说明书1/6页一种聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法技术领域[0001]本发明涉及膜材料技术领域，尤其涉及一种聚4‑甲基戊烯纳米片复合薄膜的制备方法。背景技术[0002]随着物联网、大数据、新能源汽车、智能终端等高新技术产业的飞速发展，全球电容器市场实现了快速增长。电容器在电力电网中起着至关重要的作用，在高温环境下，频繁的投切以及自身的散热等问题，都容易造成电容器本体温度过高，而造成内部绝缘介质发生变化，降低绝缘水平，甚至造成电容器的损坏。随着电子元器件的集成度和组装密度不断提高，对电容器的性能要求越来越高，开发综合性能优异的电容器势在必行。[0003]用于制备电容器的介质材料是决定电容器性能的关键。现在市场上使用最广的介质材料是陶瓷介质，陶瓷电介质介电常数高，但其脆性