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本公开提供了一种氮化镓基激光器,包括:衬底;缓冲层,制作在衬底的上表面;下限制层,制作在缓冲层的上表面;InxGa1?xN下波导层,制作在下限制层的上表面;有源区,制作在InxGa1?xN下波导层的上表面;InxGa1?xN上波导层,制作在有源区的上表面;电子阻挡层,制作在InxGa1?xN上波导层的上表面;上限制层,制作在电子阻挡层的上表面;欧姆接触层,制作在上限制层的上表面;P型电极,制作在P型欧姆接触层的上表面;N型电极,制作在衬底的下表面;其中,InxGa1?xN上波导层的厚度小于InxGa1?xN下波导层的厚度。本公开提供的氮化镓基激光器具有非对称波导层结构,能够使光场中心远离P型区,有利于减小光学损耗,提高光束质量。