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本发明涉及一种高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体及其制备方法和应用。采用导模提拉法生长了化学式为Gd3?x?yCexCaySczFe5?z?wVwO12,(x=0.33?0.54,y=0.02?0.06,z=0.45?0.96,w=0.01)磁光晶体。该方法可简化晶体后加工工艺,降低晶体制备的成本,且晶体生长速率快,光学均匀性好,可制备厘米级尺寸单晶。通过适量掺杂Sc有助于稳定RIG石榴石结构,并使晶胞膨胀,利于提高Ce在晶体中的掺杂量,并且增强了晶体磁性,获得透过性能好、磁性强、磁光性能优异的高含铈掺钪钆铁石榴石磁光晶体。该晶体材料有望在磁光隔离器、磁光环形器、磁光调制器等器件中获得实际应用。