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一种高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法,属于多主元合金薄膜材料领域。本发明涉及一种新型高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法。新型高熵合金薄膜成分含有六元非等比例的铁、钴、镍、铝、锰、钨元素,原子百分比分别为25%至35%、25%至35%、10%至25%、5%至15%、5%至15%、5%至10%。制备步骤包括超声清洗基片、制备复合靶、真空室抽真空后充氩气、预溅射、加热基片和溅射六部分。所制得的薄膜样品表面光滑,厚度均匀,组织细小,结构为单相BCC固溶体,无相分离或金属间化合物产生。本方法可制备出高硬度高电阻率的新型磁性高熵合金薄膜,厚度为500～2000nm,电阻率最高可达1800μΩ.m左右。