一种胺化合物改性石墨烯薄膜及其制备方法.pdf
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一种胺化合物改性石墨烯薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种胺化合物改性石墨烯薄膜及其制备方法,将氧化石墨烯溶液成膜,得到氧化石墨烯薄膜,再将氧化石墨烯薄膜依次经过胺化合物溶液处理、还原处理,得到胺化合物改性石墨烯薄膜;所述胺化合物为含有两个或者两个以上胺基的芳香胺化合物。现有技术制备的石墨烯薄膜力学强度偏低,本发明改善了连接石墨烯片之间的轴向应力转移和组装体的机械性能,尤其是,大面积石墨烯片共轭可以形成扩展的π电子云,从而实现石墨烯片上的高电子迁移率,获得的石墨烯组装产品显示出非常高的机械性能,薄膜的抗拉强度为1.70±0.05GPa,杨氏模量为
一种耐热石墨烯改性导电薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种耐热石墨烯改性导电薄膜,它是由下述重量份的原料组成的:聚苯胺100‑120、氧化石墨烯10‑13、三聚磷酸铝2‑3、柠檬酸1‑2、N‑羟甲基丙烯酰胺0.8‑1、氰尿酸锌0.1‑02、苯胺20‑30、过氧化二异丙苯0.4‑0.5、碳酸锆钾4‑6、蓖麻油酸锌1‑2,本发明的薄膜导电性好,综合性能优越。
一种石墨烯薄膜及其制备方法.pdf
本发明型公开了一种石墨烯,它是呈曲面状且包裹在泡沫镍表面的高质量石墨烯薄膜。同时公开了一种石墨烯薄膜的制备方法,包括:将泡沫镍放入管式炉,在氩氢混合气体的气氛中通过CVD法制备石墨烯,其中氩氢混合气体中氢气占10%,在整个反应过程中混合气体流量为400sccm,用乙醇作为碳源,在1000℃的环境中反应10分钟。本发明用乙醇做为碳源,采用了CVD法制备石墨烯,原料易得,成本较低,反应时间短,操作过程简单易控,制得的石墨烯薄膜具有优异的纯度,较好的机械性能和较高的柔性及导电性。
一种石墨烯薄膜及其制备方法.pdf
本发明涉及一种石墨烯薄膜的制备方法,其包括以下步骤:(1)将氧化石墨烯分散于一溶剂中,得到一混合物;(2)将该混合物倒入刮膜机中并于一基底上以速度V进行连续化刮膜,并将刮膜后得到的膜层连同基底以速度V送入鼓风烘道烘干,得到一带有基底的氧化石墨烯薄膜;(3)将所述带有基底的氧化石墨烯薄膜以速度V连续送入管式炉内并于惰性气氛下进行石墨化处理以还原氧化石墨烯并修复其表面的结构缺陷,得到带有基底的石墨烯薄膜;(4)将从管式炉出来的所述带有基底的石墨烯薄膜进行滚压以及剥离基底,得到石墨烯薄膜。本发明还提供一种石墨烯
一种石墨烯导电薄膜及其制备方法.pdf
本发明公开了一种石墨烯导电薄膜,它是由下述重量份的原料组成的:石墨烯7‑10、改性吡咯单体10‑14、过氧化二苯甲酰0.2‑0.3、磷酸三乙酯1‑2、月桂基二甲基氧化胺0.5‑1、异氰尿酸三缩水甘油酯1‑2、聚四氟乙烯80‑90。本发明将该石墨烯改性聚吡咯与聚四氟乙烯基体共混,可以起到很好的分散相容效果,不仅可以赋予成品薄膜一定的导电性能,而且可以提高成品薄膜的力学强度和稳定性。