基于石墨烯氧化镓异质结的二极管及其制备方法.pdf

本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种基于石墨烯/氧化镓异质结的二极管,从下至上依次为ITO衬底、氧化镓薄膜、石墨烯薄膜和铝电极层,其制备方法依次由衬底刻蚀、衬底准备、溅射氧化镓薄膜、退火处理、制备石墨烯、转移石墨烯以及蒸镀电极等步骤组成。该二极管具有制备方法简单,能够在常温下工作等特点,且器件表现出优异的整流行为和高透明性。