一种雪崩光电探测器.pdf

本实用新型公开了一种雪崩光电探测器,其包括自下而上依次设置的背电极、n型InP衬底、n型InP缓冲层、In0.53Ga0.47As吸收层、InxGa1?xAsyP1?y带宽渐变层、n型InP电荷控制层和本征InP倍增层,在本征InP倍增层之上设置有p型InP中央集电区、p型InP电场保护环以及InP隔离层,电场保护环环绕在中央集电区外围,InP隔离层填充在电场保护环和中央集电区之间的间隔区域以及电场保护环外围的区域;在中央集电区、电场保护环以及InP隔离层之上设置有带金属接触窗口的光学减反膜,在光学减反膜之上设置有带光学入射窗口的上电极,上电极透过光学减反膜上的金属接触窗口与中央集电区接触。本实用新型可以提高了探测器的响应速度、降低探测器边缘被击穿的概率、减小边缘的隧穿暗电流。