半导体激光装置以及光学设备装置.pdf
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相关资料
半导体激光装置以及光学设备装置.pdf
本发明提供一种有助于提高可见度和画质的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有:基板(1);层叠于所述基板(1)的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3);以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域,在从所述多个发光区域放射的激光中,至少一个激光的光谱中的峰值波长与其他激光的光谱中的峰值波长之差为1.5nm以上。
半导体激光装置以及光学设备装置.pdf
本发明提供一种有助于提高可见度和画质的半导体激光装置。半导体激光装置(LD001)具有:基板(1);层叠于所述基板(1)的主面的第一导电型的第一包覆层(2)和第二导电型的第二包覆层(3);以及以被所述第一包覆层(2)与所述第二包覆层(3)夹持的方式形成、且在与所述基板主面平行的第一面上形成的发光层(EL)。所述发光层(EL)具有放射红色区域的激光的多个发光区域,在从所述多个发光区域放射的激光中,至少一个激光的光谱中的峰值波长与其他激光的光谱中的峰值波长之差为1.5nm以上。
半导体激光装置以及半导体激光装置的制造方法.pdf
半导体激光装置(1)具备:N型包覆层(20)、活性层(40)、以及P型包覆层(60),活性层(40)具有:阱层(41)、被配置在阱层(41)的上方的P侧第1势垒层(43a)、以及被配置在P侧第1势垒层(43a)的上方的P侧第2势垒层(43b)。P侧第2势垒层(43b)的Al组分比,比P侧第1势垒层(43a)的Al组分比高,P侧第2势垒层(43b)的带隙能量,比P侧第1势垒层(43a)的带隙能量大。半导体激光装置(1)具有,前端面(1a)附近的阱层(41)的带隙能量,比谐振器长度方向的中央部的阱层(41)的
半导体激光器以及半导体激光装置.pdf
半导体激光器(100)具备:半导体基板(1);半导体构造部(2),形成于半导体基板(1)的表面,并包括生成从射出端面(101)射出的光的活性层(10);表面电极(20),形成于半导体构造部(2)的与半导体基板(1)相反侧的表面;以及导电部件(90),形成于表面电极(20)的与半导体基板(1)相反侧的表面。在导电部件(90)中,与活性层(10)所延伸的延伸方向平行的x方向的一个侧面亦即射出端面侧的侧面的一部分或全部,形成在比半导体构造部(2)的射出端面(101)靠x方向上的与射出端面(101)对置的另一端面
半导体激光装置.pdf
半导体激光装置具备:层叠基板;第1导电层(副基座),形成在层叠基板上;半导体激光元件,设置在第1导电层的第1区域;第1凸块,设置在半导体激光元件的不与第1导电层对置的面;第1电极,与第1凸块电连接;第2导电层,设置在第1导电层的第2区域;和第2电极,经由第2导电层与第1导电层电连接。