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本发明提供了一种氮化硅基复相导电陶瓷的制备方法,本发明以氮化硅为基体,同时添加导电相以及烧结助剂,采用两步微波烧结法,制备的氮化硅基复相导电陶瓷晶粒细小且均匀、致密度高,且强度、硬度等力学性能也得到了显著提升。本发明采用的两步微波烧结法,可抑制晶界迁移,并利用晶界扩散使坯体达到致密化;因此,该方法既可以抑制烧结后期晶粒的生长,同时又不会影响致密化的进行。实施例的结果显示,本发明提供的氮化硅基复相导电陶瓷的相对密度大于99%,维氏硬度大于15GPa,断裂韧性大于6MPa·m1/2,抗弯强度大于900MPa,电阻率小于1Ω·cm。