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本申请公开了一种单行载流子探测器及其制作方法,包括:I、利用分子束外延(MBE)设备在SI?InP衬底上生长NIN?IP(N是N型掺杂,I是本证掺杂,P是P型掺杂)双吸收区红外探测器外延层,采用GaSbAs扩散吸收区和渐变掺杂吸收区,AlGaSbAs作为阻挡层,形成单行载流子器件;II、利用半开关管Zn扩散的方法使U?GaSbAs材料实现反型,从而形成P型扩散吸收层。III、在三台面制备时,引入溴水/氢溴酸和磷酸体系,选择型腐蚀和非选择性腐蚀混合使用,形成了正梯形侧壁表面,避免了侧向腐蚀。IV、在钝化过程中,采用BCB进行钝化,金属/RTP/BCB/SIN的方法,避免了退火对BCB钝化效果的影响。