镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究.doc

镓铟氧化物薄膜和氧化锡薄膜的制备与性质研究随着当今透明光电子器件的不断发展,要求透明导电薄膜的透明区域向紫外波段扩展,而且目前光电子学研究的一个重要领域是寻找短波长发光半导体材料。为满足紫外透明光电子器件和紫外半导体发光器件的发展需求,研究新型紫外透明宽带隙半导体薄膜材料具有重要的实际意义。氧化铟(In2O3)和氧化镓(Ga2O3)薄膜都是宽带隙半导体材料,它们的光学带隙分别为3.6eV和4.9eV。镓铟氧化物[Ga2xIn2(1-x)O3]可以看作由In2O3和Ga2O3材料按照不同比例形成的三元固溶体,Ga2xIn2(1-x)O3薄膜的带隙可以实现在3.6-4.9eV范围内调制,很有希望作为紫外透明导电薄膜和紫外发光材料得以广泛应用。然而,当前国内外对Ga2xIn2(1-x)O3材料的报道还很少,对Ga2xIn2(1-x)O3薄膜更是缺乏深入而系统的研究。本论文中,首先通过实验探索适合In2O3薄膜和Ga2O3薄膜外延生长的单晶衬底及实验条件；然后在此基础上进行Ga2xIn2(1-x)O3薄膜的制备,并对其结构和光电特性进行研究,为该材料在透明光电子器件领域的应用提供依据或参考。氧化锡薄膜也是一种有前途的宽带隙透明导电材料,不但具有比GaN和ZnO更宽的带隙和更高的激子束缚能,而且具有制备温度低、物理化学性能稳定等优点。传统方法制备的多晶氧化锡薄膜由于缺陷较多而限制了其在半导体器件领域的应用,因而对高质量氧化锡单晶外延薄膜的制备及光电性质研究十分必要。本文采用的金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法不仅适于制备结构完整的氧化锡单晶薄膜,而且便于商业化生产,具有一定的科学意义和良好的实用前景。本论文内容分为四部分：第一部分使用MOCVD方法制备In2O3薄膜,并对制备薄膜的结构及光电性质进行了研究；第二部分制备了Ga2O3薄膜并对其性质进行了研究；第三部分在前两部分研究的基础上,展开了Ga2xIn2(1-x)O3(0.1≤x≤0.9)薄膜的制备与性质研究；第四部分对YSZ衬底上正交铌铁矿结构SnO2薄膜的制备与性质进行了研究。一、使用MOCVD方法,以高纯In(CH3)3(纯度为6N)作为铟金属有机源(MO源)、高纯O2(5N)作为氧化剂,超高纯N2(9N)作为设备的管路载气,在600℃下MgO(100)、α-Al203(0001)和YSZ(100)三种衬底上制备了In203外延薄膜。使用多功能x射线衍射仪和高分辨透射电镜对薄膜的结构特性进行研究分析,分别给出了薄膜外延生长的原理图。在MgO(100)衬底上制备的薄膜内部存在四重畴结构,其面外外延关系为In203(111)||MgO(100),同时面内外延关系为In203[011]||MgO<072>或In203[011]||MgO<011>；在α-Al203(0001)衬底上制备的薄膜内部具有双重畴结构,面外外延关系为In203(111)||α-Al203(0001),同时面内外延关系为In203[011]||Al203[0110]或In203[101]||Al203[0110]；在YSZ(100)衬底上制备的薄膜是高质量的单晶薄膜,薄膜内部未发现孪晶或畴结构的存在,其面外外延关系为In203(100)||YSZ(100),同时面内具有单一外延取向In2O3[001]||YSZ[001]。因此,同等条件下在YSZ(100)衬底上制备的薄膜具有最好的结晶质量。在以上分析结果的基础上,使用YSZ(100)衬底分别在450℃、550℃、650℃和750℃衬底温度下制备了单晶In203薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构和光电特性的影响。ω摇摆曲线的测试结果显示,在650℃下制备的薄膜具有最好的结晶质量。薄膜的霍尔迁移率在33.3-66.5cm2V-1S-1之间；载流子浓度在1.5×1019-6.2×1019cm-3之间；电阻率在3.0×10-3-6.3×10-3Ω·cm之间。制备样品在可见光(380-780nm)范围内的平均透过率均超过了74.2%,薄膜的光学带隙值为3.57-3.71eV。二、实验使用MOCVD方法,以高纯Ga(CH3)3作为镓MO源、高纯O2作为氧化剂,超高纯N2作为设备的管路载气。在650℃衬底温度下分别在MgO(100)、α-Al203(0001)和YSZ(100)衬底上制备了Ga203薄膜。测试结果显示,在YSZ(100)衬底上制备的薄膜为非晶或微晶结构；在α-Al203(0001)衬底上制备的薄膜是平行于β-Ga2O3(201)晶面生长的p-Ga203外延薄膜；在MgO(100)衬底上制备的薄膜是平行于p-Ga203(100)晶面生长的p-Ga203外延薄膜,而且其结晶质量比同等条件下α-Al203(0001)衬底上制备的薄膜要好—些