GaAsAlGaAs量子阱材料微观结构与器件特性分析研究.doc

GaAs/AlGaAs量子阱材料微观结构与器件特性分析研究GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（QuantumWellInfraredPhotodetectors，QWIP）是先进薄膜生长技术与微电子学相结合的新型红外探测器。具有材料均匀性好，生长制备工艺成熟，价格低，抗辐照性能好，及易于实现多色探测等优点。广泛用于生物医疗成像，空间资源检测，军事领域现代化高科技武器装备、地雷探测、红外制导系统、战场侦察、反坦克导弹热瞄镜等领域，已成为红外探测器的主流技术。但其较大的暗电流，较低的量子效率与过窄的频带宽成为其快速发展的瓶颈。本文以GaAs/AlGaAsQWIP单元探测器为应用背景，从相关器件结构优化设计入手，使用金属有机物化学气相沉积法（MetalOrganicChemicalVaporDeposition，MOCVD）进行量子阱材料生长，设计QWIP样品性能参数自动测试系统，利用高分辨透射扫描电镜（Highresolutiontransmissionelectronmicroscopy，HRTEM）对器件展开微观结构分析研究，采用室温光致荧光谱（RoomTemperaturePhotoluminescence，RT-PL）对样品进行势垒与势阱PL谱测试，以对其微观能级结构进行剖析研究。旨在提高光电流，减小暗电流，建立器件微观结构与宏观表征的关系，为实现QWIP能级结构设计与材料生长工艺的优化奠定基础。论文主要研究内容，结论与成果如下：1、采用MOCVD生长30~50周期300μm×300μm台面，峰值响应波长8.5μmGaAs/Al0.3Ga0.7As量子阱样品数件，其电极压焊点面积大小与位置不同。对器件样品进行宏观光电特性测试，实验结果显示：样品暗电流，噪声，响应特性，伏安特性及探测率等呈现正负偏压的不对称性。结合样品的微观结构形貌，研究结果表明：样品界面位错穿过区域靠近AlGaAs层附近衬度区域的加宽，致使Al原子从AlGaAs层析出，导致穿透位错造成相位分离，这是引起量子阱光电性能变差的主要原因；材料生长工艺自身引起不同生长次序中GaAs与AlGaAs界面不对称性与掺杂元素的扩散，及GaAs薄膜中大量缺陷，其中包括有生长技术或掺杂带来的点缺陷及由衬底异质外延晶格失配引起的缓冲层缺陷等。这都是引起器件宏观特性曲线出现不对称的根本原因；样品器件位于台面的电极造成器件结区暗电流增加，表面及压焊点电极漏电也有一定影响。2、根据GaAs/AlGaAsQWIP的结构参数，建立了QWIP理想势阱模型。通过对QWIP样品解理后侧向剖面QW进行PL测试，结合势阱与势垒发光峰的位置，根据理想GaAs/AlGaAs势阱模型与量子阱能带理论进行数值拟合运算，获得QWIP样品的势垒组分、量子阱宽度等各项结构参数，并由此得到量子阱子带间跃迁能量，及其相应的峰值响应波长。实验结果显示：器件结构中势阱宽度偏离设计值1~2个原子层，势垒中Al组分偏离设计值1%~2%。虽然实际值相对于设计值有一定偏差，但该工作有利于防止偏离设计值的晶片流入器件制备工序，另一方面能够促使改进MOCVD生长工艺使其达到设计要求。3、建立QWIP荧光量子阱响应波长能带模型，确定QWIP峰值响应波长与势垒中Al组分关系，建立器件微观结构形貌与宏观光电特性关系。采用MOCVD制备Al摩尔含量为0.23，0.32实验样品。光谱测试结果显示：3#，4#样品峰值响应波长为8.36μm，7.58μm，与据薛定谔方程得到峰值波长9.672μm，7.928μm误差分别为15.6%，4.6%。研究结果表明：铝原子在GaAs与AlxGa1-xAs界面处扩散促使GaAs量子阱由标准方势阱变为余误差决定的形状，导致势阱降低，宽度增加，子能级分布变化，响应波长蓝移。说明光激发载流子正从束缚态到连续态向束缚态到准束缚态跃迁方式转变。HRTEM技术分析发现：位错引起GaAs与AlGaAs晶格不匹配及量子阱材料生长过程中对材料控制精度不够是造成3#样品误差过大主要原因。说明势垒中Al组分减小致使量子阱子带间距离逐渐缩小，导致峰值响应波长红移。RT-PL实验结果与理论计算相符合，说明势垒中Al组分可修饰QWIP光电特性。4、确定QWIP响应波长与GaAs势阱宽度关系。根据理想二维方势阱模型设计器件量子阱能级结构，采用MOCVD生长阱宽为4.5nm，5.5nmGaAs/Al0.3Ga0.7AsQWIP样品，利用傅里叶光谱仪对样品进行77K液氮温度光谱响应及势阱与势垒的PL测试。光谱实验结果显示：5#，6#样品峰值响应波长为8.39μm，7.69μm，与据理想二维方势阱模型获得8.924μm，8.051μm误差为6.36%，4.7%；同时响应光谱半高宽从27.3%上升至44.2%。而PL实验结果则显示：其与二维