

GaSbInSbInP红外探测器结构的MOCVD生长及红外特性研究.doc
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GaSbInSbInP红外探测器结构的MOCVD生长及红外特性研究.doc
GaSb/InSb/InP红外探测器结构的MOCVD生长及红外特性研究目前,在红外通讯、气体监测、遥感技术等领域,对3-5μm波段的半导体红外探测器均有着迫切的需求。而非制冷红外探测器因无须制冷设备而便于实现器件的集成化与探测系统的轻量化,具有低功耗、低成本、良好的稳定性等优势,因此具有重要的应用前景。InSb作为一种窄禁带半导体材料,在量子效率、响应速度等方面优势明显,因此是制备红外探测器的一种理想材料。但是InSb内的复合机制导致相关器件的输出噪声过高,因而难以满足非制冷红外探测器的发展要求。为了解决
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