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本发明公开了一种低温制备HZO铁电薄膜的方法、HZO铁电薄膜及具有其的电容器,以四二甲氨基铪,四二甲氨基锆和水分别作为铪源、锆源和水源。采用原子层沉积的方法,将铪源、锆源和氧源交替循环导入腔体,通过控制交替循环次数和沉积速度来控制薄膜厚度,最终生长出需要的HZO铁电薄膜,并控制铪、锆的有效摩尔比为1:1。本发明实施例提供的HZO制备方法,整个制备过程中无需退火工艺,在生长温度为250℃左右的条件下能够得到HZO铁电薄膜,所制得的无需退火的HZO铁电薄膜,能够有效避免高温退火所带来的能量损耗,解决了HZO铁电薄膜在实际应用时所面临的温度限制。