一种低温制备HZO铁电薄膜的方法及HZO铁电薄膜.pdf
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一种低温制备HZO铁电薄膜的方法及HZO铁电薄膜.pdf
本发明公开了一种低温制备HZO铁电薄膜的方法、HZO铁电薄膜及具有其的电容器,以四二甲氨基铪,四二甲氨基锆和水分别作为铪源、锆源和水源。采用原子层沉积的方法,将铪源、锆源和氧源交替循环导入腔体,通过控制交替循环次数和沉积速度来控制薄膜厚度,最终生长出需要的HZO铁电薄膜,并控制铪、锆的有效摩尔比为1:1。本发明实施例提供的HZO制备方法,整个制备过程中无需退火工艺,在生长温度为250℃左右的条件下能够得到HZO铁电薄膜,所制得的无需退火的HZO铁电薄膜,能够有效避免高温退火所带来的能量损耗,解决了HZO铁
铁电薄膜的制备.ppt
制膜方法观念类课程以开关效应为基础的铁电随机读取存储器(FeRAM)中Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基铁电薄膜是较常用的材料。由于PZT系铁电材料耐疲劳性能较差以及铅的公害问题,近年来人们对新材料体系进行了开发和研究,发现了铋系层状结构的SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜。这类薄膜材料具有良好的抗疲劳特性,用其制作的FeRAM,在1012次重复开关极化后,仍无显著疲劳现象,且具有良好的存储寿命和较低的漏电流。以高容量为主要要求的动态随机存储器(DRAM)常采用高介电常数(εr)的铁电薄膜作为电容器的
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主要内容1.绪论1.1铁电材料概述铁电材料的应用研究进展1.2PZT材料结构特征1.3PZT铁电薄膜的制备技术SOL-GEL法制备铁电薄膜的优点2.PZT铁电薄膜制备PZT薄膜的制备流程2.2PZT铁电薄膜的X射线衍射图2.3PZT铁电薄膜的铁电性能2.4PZT铁电薄膜的介电性能2.5PZT铁电薄膜的漏电流3.PCZT铁电薄膜制备及性能研究3.2PCZT铁电薄膜的X射线衍射图3.3PCZT铁电薄膜的铁电性能Co掺杂后的PZT薄膜的剩余极化强度Pr明显增大,Co=10mol%,Pr=58.6c/cm2。这
一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用.pdf
本发明公开一种超薄层状有机分子铁电薄膜的制备方法以及该铁电薄膜的应用,该铁电薄膜的制备方法为:将石墨烯或氮化硼的二维层状材料转移到硅片表面、作为衬底,并以高氯酸咪唑粉末作为生长源;将生长源和衬底置于管式炉的石英管中,两者间隔距离放置,对石英管抽真空;启动管式炉,加热炉体至生长源位置处温度为100~110℃、保温1~2h,生长源通过气相挥发,在石墨烯或氮化硼上沉积形成高氯酸咪唑铁电薄膜。通过有机分子薄膜之间以及有机分子与衬底之间微弱的范德瓦尔斯力作用,采用气相沉积,可得到分子级厚度的超薄层铁电薄膜,并在超薄
铁电薄膜制备方法的研究的开题报告.docx
铁电薄膜制备方法的研究的开题报告开题报告铁电薄膜材料在现代电子、信息、光电等领域中具有重要的应用价值,随着科技的不断发展,铁电薄膜的制备方法也在不断发展和改进。本文旨在研究铁电薄膜的制备方法,探索最适合该材料的制备工艺,并提高其制备效率和品质。1.研究背景铁电材料以其独特的铁电性质,具有广泛的应用领域。铁电薄膜制备的方法对其品质有着决定性的影响。当前,制备铁电薄膜的方法包括化学溶液法、分子束外延法、物理气相沉积法等。这些方法各有特点,但也面临着一些问题,如生长速度慢、结晶度差、致密性不好等等,使得其应用受