电力电子42338演示幻灯片.ppt

1.7电力电子器件器件的保护1.7电力电子器件器件的保护1.7.1过电压的产生及过电压保护1.7.1过电压的产生及过电压保护1.7.1过电压的产生及过电压保护1.7.2过电流保护1.7.2过电流保护1.7.2过电流保护1.7.3缓冲电路（SnubberCircuit）1.7.3缓冲电路（SnubberCircuit）1.7.3缓冲电路（SnubberCircuit）1.7.3缓冲电路（SnubberCircuit）1.7.3缓冲电路（SnubberCircuit）1.8电力电子器件器件的串联和并联使用1.8.1晶闸管的串联目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿1.8.1晶闸管的串联1.8.1晶闸管的串联1.8.2晶闸管的并联1.8.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点本章小结本章小结本章小结图1-1电力电子器件在实际应用中的系统组成图1-2电力二极管的外形、结构和电气图形符号图1-3PN结的形成图1-4电力二极管的伏安特性图1-5电力二极管的动态过程波形图1-6晶闸管的外形、结构和电气图形符号图1-7晶闸管的双晶体管模型及其工作原理图1-8晶闸管的伏安特性图1-9晶闸管的开通和关断过程波形图1-10双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性图1-11逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性图1-12光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性图1-13GTO的内部结构和电气图形符号图1-14GTO的开通和关断过程电流波形图1-15GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动图1-16共发射极接法时GTR的输出特性图1-17GTR的开通和关断过程电流波形图1-18GTR的安全工作区图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号图1-20电力MOSFET的转移特性和输出特性图1-21电力MOSFET的开关过程图1-22IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号图1-23IGBT的转移特性和输出特性图1-24IGBT的开关过程图1-25光耦合器的类型及接法图1-26理想的晶闸管触发脉冲电流波形图1-27常见的晶闸管触发电路图1-28推荐的GTO门极电压电流波形图1-29典型的直接耦合式GTO驱动电路图1-30理想的GTR基极驱动电流波形图1-31GTR的一种驱动电路图1-32电力MOSFET的一种驱动电路图1-33M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图图1-34过电压抑制措施及配置位置图1-35RC过电压抑制电路联结方式图1-36反向阻断式过电压抑制用RC电路图1-37过电流保护措施及配置位置图1-38di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形图1-39关断时的负载线图1-40另外两种常用的缓冲电路图1-41晶闸管的串联图1-42电力电子器件分类“树”