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III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。所述III族氮化物增强型HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极,所述外延结构包括依次叠设的沟道层、势垒层和p型半导体;所述外延结构还包括叠设在p型半导体上的AlyGa1?yN层,所述栅极设置在AlyGa1?yN层上;所述势垒层与p型半导体的接触界面处的Al含量低于所述势垒层中其余区域的Al含量,所述AlyGa1?yN层所含掺杂元素的浓度低于所述p型半导体所含掺杂元素的浓度;其中,0<x≦1,0≦y≦1,0≦m≦1。本发明提供的III族氮化物增强型HEMT器件具有更高的栅极工作寿命和更小的栅极动态阈值电压漂移,器件的可靠性可以得到大幅提升。