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本申请属于材料技术领域,尤其涉及一种掺杂的氧化镓紫外探测材料及其制备方法,以及一种光电探测器。其中,掺杂的Ga2O3紫外探测材料的制备方法,包括步骤:将所述靶材和衬底分别固定在沉积腔室内;所述靶材中掺杂有铟元素、锡元素中的至少一种;将所述沉积腔室内的压强调节至真空环境后,对所述衬底进行升温处理,调节所述沉积腔室内的氧压为1~20Pa;去除所述靶材表面的氧化层后,在所述衬底表面进行气相沉积,冷却得到掺杂的Ga2O3紫外探测材料。本申请方法通过对氧压调控及元素掺杂,使制得的材料同时具有较宽的光学吸收截止边、较好的导电性能、较高的载流子浓度,可有效提高光电探测器的光电转化效率。