掺杂的氧化镓紫外探测材料及制备方法、光电探测器.pdf
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掺杂的氧化镓紫外探测材料及制备方法、光电探测器.pdf
本申请属于材料技术领域,尤其涉及一种掺杂的氧化镓紫外探测材料及其制备方法,以及一种光电探测器。其中,掺杂的Ga<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>3</base:Sub>紫外探测材料的制备方法,包括步骤:将所述靶材和衬底分别固定在沉积腔室内;所述靶材中掺杂有铟元素、锡元素中的至少一种;将所述沉积腔室内的压强调节至真空环境后,对所述衬底进行升温处理,调节所述沉积腔室内的氧压为1~20Pa;去除所述靶材表面的氧化层后,在所述衬底表面进行气相沉积,冷却得到掺杂的Ga<base:Su
氧化镓基日盲紫外光电探测器.pdf
本发明涉及一种氧化镓基日盲紫外光电探测器,包括依次层叠设置的第一电极层、铁电层、氧化镓层和第二电极层,其中,第一电极层与铁电层形成欧姆接触。本发明中,铁电层自发极化形成的局域场能够用于耗尽氧化镓层的内部缺陷,调控氧化镓层的能带结构及界面耗尽区宽度,而存在于氧化镓层中的光生电子空穴对在耗尽区及外电场的作用下会被加速,由此提高了氧化镓基日盲紫外光电探测器光生载流子的浓度和分离效率,同时,铁电层的剩余极化能够调控氧化镓层的内部及界面缺陷的分布。因此,本发明的氧化镓基日盲紫外光电探测器的暗电流低、光暗电流比高,进
一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法.pdf
本发明提供一种多波段氧化镓基紫外光电探测器阵列的制备方法,首先利用磁控溅射在叉指电极上沉积氧化镓薄膜,通过控制溅射功率、气体压强和气体配比等参数或引入半导体杂质,调控氧化镓薄膜的氧空位和杂质缺陷浓度,实现不同波段紫外光响应的氧化镓光电探测器单元的制备。其次,将制备的氧化镓光电探测器单元,置入气氛炉中进行退火处理,实现对氧化镓光电探测器单元紫外截止波长的调整。最后,将不同波段的氧化镓紫外光电探测器单元组装成探测器阵列,各个光电探测器单元在电学上相互独立。本发明制备的氧化镓紫外光电探测器阵列具有光谱选择性强、
一种氧化镓光电探测器及其制备方法.pdf
本公开提供了一种氧化镓光电探测器,包括:衬底(100);氧化镓层(200),其设于衬底(100)的表面;第一电极(300)和第二电极(400),第一电极(300)和第二电极(400)不接触,第一电极(300)和第二电极(400)均包括多个支层,多个支层的一端镶嵌于氧化镓层(200)的内部及表面,另一端相互连接于氧化镓层(200)的外部。另一方面,本公开还提供了一种氧化镓光电探测器的制备方法。本公开中的结构制作简单,电场在整个探测器中分布均匀,可显著提高氧化镓日盲光电探测器的量子效率、响应度、响应速度和线性
氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法.pdf
本发明提供一种氧化镓微米线制备方法、日盲紫外探测器及其制备方法,其中的氧化镓微米线制备方法包括以下步骤:S1、将β‑Ga